一种连接器、直插式DRAM颗粒、内存测试装置及方法与流程

本发明涉及电子电路技术领域，特别涉及一种连接器、直插式DRAM颗粒、内存测试装置及方法。

背景技术：

内存作为服务器和存储的必备配件，其与主板的兼容性和匹配性直接决定了内存链路的稳定性。如果此链路不能很好地设计及验证，将会导致一系列的内存兼容性问题，而兼容性问题涉及到板卡设计、制程工艺、环境因素等各个方面。因此，内存的测试验证变得尤为重要。

现阶段，对于内存的测试一般是在主板上的DIMM(Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块连接器)处进行，测试的是整个内存条的情况，无法真正测试到内存上每个DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)颗粒的工作情况。

技术实现要素：

本发明实施例提供了一种连接器、直插式DRAM颗粒、内存测试装置及方法，能够针对内存条上每一个DRAM颗粒进行测试。

一种连接器，包括：连接器本体、至少一个连接插针，其中，

每一个所述连接插针包括插针本体、位于所述插针本体一端的动态随机存取存储器DRAM连接结构、位于所述插针本体另一端的焊盘连接结构；

所述DRAM连接结构和所述焊盘连接结构具有导电特性；

每一个所述连接器插针的插针本体穿透所述连接器本体，并使得所述DRAM连接结构和所述焊盘连接结构分别位于所述连接器本体的两侧；

所述DRAM连接结构，用于通过两侧夹持的方式连接外部内存条上的DRAM颗粒；

所述焊盘连接结构，用于通过插接的方式连接外部焊盘。

优选地，

所述DRAM连接结构包括：

位于所述插针本体内侧的至少两个弹片；

或者，

位于所述插针本体内侧的至少两个弧形伸缩体。

优选地，

所述焊盘连接结构包括：

锥体插入结构；

或者，

圆柱体插入结构。

优选地，

所述焊盘连接结构，用于通过插接的方式与外部内存的电路板上的焊盘相连。

优选地，

所述连接器，进一步包括：位于所述连接器本体上的至少一个固定螺钉，用于连接在外部内存的电路板上。

优选地，

一种直插式DRAM颗粒，包括：

DRAM本体以及位于所述DRAM本体上的至少一个引出结构体；

所述至少一个引出结构体可通过被夹持的方式连接在外部的连接器上。

优选地，

一种内存测试装置，包括：

所述的连接器、内存条、至少一个所述的DRAM颗粒；

每一个DRAM颗粒通过至少一个引出结构体被夹持在所述连接器的所述DRAM连接结构中；

所述连接器的所述焊盘连接结构与所述内存条上焊盘连接凹槽连接。

优选地，

所述焊盘连接凹槽，位于所述内存条的待测DRAM颗粒处。

优选地，

内存测试装置进行内存测试的方法，包括：

将测试工具连接到所述连接器的DRAM连接结构与所述DRAM颗粒的引出结构体的连接处；

利用所述测试工具对内存条的每一个待测DRAM颗粒进行测试。

优选地，

所述测试包括：信号测试，或者电源测试。

本发明实施例提供了一种连接器、直插式DRAM颗粒、内存测试装置及方法，连接器的连接插针一端的DRAM连接结构与待测DRAM颗粒连接，连接器的连接插针另一端的焊盘连接结构与外部焊盘连接。通过设置连接器，将原本表贴在内存条上的DRAM颗粒从内存电路板上分离出来，以便对内存条上的DRAM颗粒进行测试。本发明提供的方案能够针对内存条上每一个DRAM颗粒进行测试。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一个实施例提供的连接器的结构示意图；

图2是本发明一个实施例提供的一种连接插针的结构示意图；

图3是本发明另一个实施例提供的一种连接器的结构示意图；

图4是本发明一个实施例提供的一种直插式DRAM颗粒的结构示意图；

图5是本发明另一个实施例提供的一种直插式DRAM颗粒的结构示意图；

图6是本发明一个实施例提供的一种内存测试装置的结构示意图；

图7是本发明一个实施例提供的一种内存条的结构示意图；

图8是本发明一个实施例提供的一种内存测试方法的流程图；

图9是本发明另一个实施例提供的一种内存测试装置的结构示意图；

图10是本发明另一个实施例提供的一种内存测试方法的流程图；

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明实施例提供了一种连接器，包括：

连接器本体101和至少一个连接插针102；

每一个所述连接插针102，包括：

插针本体1021；

位于所述插针本体1021一端的DRAM连接结构1022；

位于所述插针本体1021另一端的焊盘连接结构1023；

所述DRAM连接结构1022和所述焊盘连接结构1023具有导电特性；

每一个所述连接器插针102的插针本体1021穿透所述连接器本体101，并使得所述DRAM连接结构1022和所述焊盘连接结构1023分别位于所述连接器本体101的两侧；

所述DRAM连接结构1022，用于通过两侧夹持的方式连接外部内存条上的DRAM颗粒；

所述焊盘连接结构1023，用于通过插接的方式连接外部焊盘。

本发明实施例提供了一种连接器，连接器的连接插针一端的DRAM连接结构与待测DRAM颗粒连接，连接器的连接插针另一端的焊盘连接结构与外部焊盘连接。通过设置连接器，将原本表贴在内存条上的DRAM颗粒从内存电路板上分离出来，以便对内存条上的DRAM颗粒进行测试。本发明提供的方案能够针对内存条上每一个DRAM颗粒进行测试。

在上述图1所示的连接器中，连接插针102可以有多种结构。

比如，连接插针102中的DRAM连接结构1022包括：位于所述插针本体1021内侧的至少两个弹片，或者，位于所述插针本体1021内侧的至少两个弧形伸缩体。

再如，连接插针102中的焊盘连接结构1023包括：锥体插入结构，或者，圆柱体插入结构。

在本发明一个实施例中，以所述DRAM连接结构1022包括位于所述插针本体1021内侧的两个弹片，且焊盘连接结构1023包括锥体插入结构为例，来说明连接插针102的具体结构。如图2所示，包括：插针本体2021、位于插针本体2021上端及内侧的两个弹片2022、位于插针本体2021下端的锥体插入结构2023。

图2只是连接插针102的一种结构示意图，在本发明的其他实施例中，连接插针102的结构也可以进行变换。比如，在本发明的另外一个实施例中，所述DRAM连接结构1022还可以包括，位于所述插针本体2021内侧的至少两个弧形伸缩体(图中未示出)。当然，在本发明的其他实施例中，DRAM连接结构1022还可以具有其他结构，也就是说，可以通过其他夹持的方式与外部内存条上的DRAM颗粒连接的结构。再比如，在本发明的另外一个实施例中，所述焊盘连接结构1023，还可以包括圆柱体插入结构，棱台插入结构，长方体插入结构等等(图中未示出)，用于通过插接的方式与外部内存的电路板上的焊盘相连。

在本发明的另外一个实施例中，以图2所示结构的一种连接插针为例，来说明一种连接器的具体结构。如图3所示的一种连接器，包括，连接器本体301，四个连接插针302，两个固定螺钉303。所述四个连接插针302穿过连接器本体301，两个弹片和椎体插入结构分别置于所述连接器本体301的上下两侧。在连接器本体301的左右两侧分别设置一个固定螺钉303，以便于将连接器固定在外部的内存电路板上。需要说明的是，图3只是提供了其中一种连接器结构，根据所述固定螺钉303、所述连接器本体301、所述连接插针302的变化，连接器可以呈现出不同的结构。

如图4所示，本发明实施例提供了一种直插式DRAM颗粒401，包括：DRAM本体4011以及位于所述DRAM本体上的至少一个引出结构体4012。所述至少一个引出结构体4012可通过被夹持的方式连接在外部的连接器上。

为了更直观地展示出直插式DRAM颗粒的结构，图5展示出其中一种直插式DRAM颗粒，包括，DRAM本体501和四个位于所述DRAM本体501上的引出结构体502。所述引出结构体502可通过被夹持的方式连接在外部的连接器上。

参见图3和图5，在本发明的一个实施例中，可以将图5所示的直插式DRAM颗粒插入图3所示的连接器中，以使得两者实现电连接。比如，具体的方式包括：将图5中的四个位于所述DRAM本体501上的引出结构体502分别插入到图3所示连接插针302的弹片间，所述引出结构体502通过两侧弹片的夹持作用，置于连接插针302中，实现直插式DRAM颗粒与连接器的连接。

如图6所示，本发明实施例提供了一种内存测试装置，包括图1至图3任一所示的连接器601、内存条602、至少一个如图4、5所示的DRAM颗粒603。每一个DRAM颗粒603通过至少一个引出结构体被夹持在所述连接器601的所述DRAM连接结构中；所述连接器601的所述焊盘连接结构与所述内存条上焊盘连接凹槽连接。所述焊盘连接凹槽，位于所述内存条的待测DRAM颗粒处。

在本发明的一个实施例中，以图7所示的结构具体说明所述内存条602的结构。如图7所示，所述内存条602包括，内存电路板701，两个固定螺钉孔702，六个焊盘连接凹槽703。需要说明的是，图7只是提供了内存条602的一种结构，根据内存电路板，固定螺钉孔，焊盘连接凹槽的变化，内存条可以有更多可能的结构。

参见图1至图7，在本发明的一个实施例中，所述焊盘连接凹槽702的结构与所述焊盘连接结构2023的结构相对应，焊盘连接结构2023为锥体结构时，所述焊盘连接凹槽702为倒锥体凹槽结构。在本实施例中，如图3所示的连接器通过连接插针302，插入到如图7所示的内存条上的焊盘连接凹槽703中，并通过两个固定螺钉303固定于内存电路板701上，连接插针302上端的两个弹片通过夹持作用与图5所示的引出结构体502相连，从而形成一种内存测试装置。

如图8所示，本发明实施例提供了一种利用本发明提出的内存测试装置进行内存测试的方法，包括：

步骤801：将测试工具连接到所述连接器的DRAM连接结构与所述DRAM颗粒的引出结构体的连接处；

步骤802：利用所述测试工具对内存条的每一个待测DRAM颗粒进行测试。

在本实施例中，测试工具选择为示波器，将示波器探头连接到所述连接器的DRAM连接结构与所述DRAM颗粒的引出结构体的连接处，比如弹片上，对内存条的每一个待测DRAM颗粒进行信号或者电源测试。当示波器探针无法探测时，可以用线缆连接，并延展到方便量测的位置。

下面以图9所示的内存测试装置为例，展开说明内存的测试方法。所述内存装置包括内存条901，连接器902和直插式DRAM颗粒903。如图10所示，所述方法包括一下步骤：

步骤1001：根据测试需要，评估需要测试的内存插槽，确定好需要测试的内存插槽的位置；

在本步骤中，根据测试需要，确定待测内存插槽的位置，主要针对疑似有问题的内存所在的内存插槽。

步骤1002：评估需要测试的内存DRAM的位置，可以选择内存条上的一个DRAM测试，也可以选择内存条上的多个DRAM测试；

在本步骤中，确定待测内存DRAM的位置，可以对内存条上的一个DRAM进行测试，也可以对内存条上的多个DRAM进行测试；

步骤1003：获取测试内存条；

一般的DRAM颗粒是表贴在内存电路板上的，其信号及电源引脚被DRAM颗粒覆盖，无法直接用示波器探针测试。因此，在本步骤中，可以直接制作或者获取之前制作好的测试用内存条。如图9所示，所述内存条901包括：焊盘连接凹槽9011，固定螺钉孔9012，内存电路板9013。所述焊盘连接凹槽9011用于与连接器902相连，所述固定螺钉孔9012，用于将连接器902固定于内存电路板9013上。

步骤1004：获取连接器；

所述连接器902包括：连接插针9021，连接器本体9022，固定螺钉9023。

其中，所述连接插针9021包括：DRAM连接结构90213，焊盘连接结构90211和插针本体90212。

所述DRAM连接结构90213，包括，位于所述插针本体90212内侧的两个弹片，可以通过夹持的方式连接外部内存条上的DRAM颗粒。另外，所述DRAM连接结构90213还可以包括，位于所述插针本体90212内侧的至少两个弧形伸缩体等其他可通过夹持的方式与外部内存条上的DRAM颗粒连接的结构。

所述焊盘连接凹槽9011的结构与所述焊盘连接结构90211的结构相对应，当所述焊盘连接结构90211为锥体结构时，所述焊盘连接凹槽9011为倒锥体凹槽结构；当所述焊盘连接结构90211为圆柱体结构时，所述焊盘连接凹槽9011为圆柱体凹槽。所述焊盘连接结构90211还可以包括棱台插入结构，长方体插入结构等等，用于所述连接插针9021与外部焊盘紧密贴合。所述焊盘连接结构90211，用于通过插接的方式与外部内存电路板9013上的焊盘相连。

为了实现连接器902的固定，所述的连接器902，还包括：位于所述连接器本体9022上的两个固定螺钉9023，通过穿过位于所述连接器本体9022上的固定螺钉孔，连接到外部内存电路板9013上。通过所述固定过程，可以将所述连接器902稳固于外部内存电路板9013上，便于进行测试。

步骤1005：获取DRAM颗粒；

在本步骤中，DRAM颗粒为一种直插式DRAM颗粒903。所述直插式DRAM颗粒903，包括：DRAM本体9031以及位于所述DRAM本体上的至少一个引出结构体9032，所述至少一个引出结构体9032可通过被夹持的方式连接在外部的连接器902上。所述一种直插式DRAM颗粒903，可以被夹持在位于所述插针本体90212内侧的两个弹片之间，也可以被夹持在位于所述插针本体90212内侧的至少两个弧形伸缩体之间。所述一种直插式DRAM颗粒903，其结构是专门为内存测试而设计的，便于夹持，结构简单且易实现。

步骤1006：将内存条连接到内存插槽中，在内存条的各个焊盘处测试信号及电源，并记录数据；

将获取的测试内存条901连接到内存插槽中，在内存条901的焊盘连接凹槽9011处对信号和电源进行测试。并记录数据。在本步骤中，测试工具为示波器。即将示波器探针插入倒椎体结构的焊盘连接凹槽9011处对信号和电源进行测试。

步骤1007：将内存条与连接器连接好，以使两者良好接触，在连接器的连接插针处测试信号及电源，并记录数据；

在本步骤中，连接器902通过连接插针9021上的焊盘连接结构90211与内存条901相连，以确保两者良好接触。将示波器探针插入连接器902的连接插针9021处，进行信号及电源测试，并记录数据。

步骤1008：将步骤1007和步骤1006的数据进行比较，得出所述连接器带来的影响；

将步骤1007和步骤1006的数据进行比较，可以得出，所述连接器902对于信号及电源测试结果的影响。

步骤1009：将内存条，连接器，DRAM颗粒有序连接起来，用示波器在连接插针处测试信号及电源，并记录数据；

在本步骤中，连接器902通过连接插针9021上的焊盘连接结构90211与内存条901上的焊盘连接凹槽9011相连，通过所述连接插针9021上的DRAM连接结构90213与所述DRAM颗粒903上的引出结构体9032相连。从而，内存条901，连接器902，DRAM颗粒903有序连接起来。将示波器探针置于连接插针9021处，如DRAM连接结构90213中的一个弹片上，进行信号及电源测试，并记录数据。

步骤1010：对比步骤1009和步骤1008的测试数据，得出最终的信号及电源测试结果；

在本步骤中，通过对连接器902连接前后测试数据的对比，排除连接器902对测试结果的干扰，得到最终的信号及电源测试结果。通过所述对比过程，使测试结果更加真实有效。

步骤1011：对测试结果进行评估分析。

通过以上测试结果对内存进行分析，判断测试内存条能否正常工作，以便采取措施确保整个系统的稳定。

根据上述方案，本发明的各实施例，至少具有如下有益效果：

1、将连接器的连接插针一端的DRAM连接结构与待测DRAM颗粒连接，连接器的连接插针另一端的焊盘连接结构与外部焊盘连接。通过设置连接器，将原本表贴在内存条上的DRAM颗粒从内存电路板上分离出来，以便对内存条上的DRAM颗粒进行测试。本发明提供的方案能够针对内存条上每一个DRAM颗粒进行测试。

2、通过直插式DRAM颗粒的引出结构体被夹持于DRAM连接结构中，实现待测DRAM颗粒与连接器的连接，所述夹持操作简单易行，为测试提供了方便。

3、由内存条、连接器、直插式DRAM颗粒组成的内存测试装置，实现了将DRAM颗粒从内存电路板上分离出来，对内存条上一个或多个DRAM颗粒进行信号及电源测试。该内存测试装置结构简单，易于实现。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个〃·····”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同因素。

最后需要说明的是：以上所述仅为本发明的较佳实施例，仅用于说明本发明的技术方案，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。