1.一种半导体封装件，包括：
半导体芯片，安装在封装基底上，所述半导体芯片具有面对封装基底的底表面和与底表面相对的顶表面；
模制层，位于封装基底上以包封半导体芯片；以及
散热层，位于半导体芯片的顶表面上，
其中，模制层具有与半导体芯片的顶表面基本共面的顶表面，以及
半导体芯片的顶表面和模制层的顶表面具有彼此不同的表面粗糙度。
2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，半导体芯片的顶表面的表面粗糙度小于模制层的顶表面的表面粗糙度。
3.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，散热层与半导体芯片的顶表面直接接触。
4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，散热层从半导体芯片的顶表面朝向模制层的顶表面延伸并且与模制层的顶表面直接接触。
5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，散热层包括与半导体芯片的顶表面面对的底表面和与散热层的底表面相对的顶表面，以及
其中，散热层的顶表面是不平坦的。
6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，散热层包括：
第一金属层，邻近于半导体芯片的顶表面；以及
第二金属层，设置在第一金属层上，
其中，第二金属层包含第二金属，所述第二金属的热导率高于第一金属层的热导率，以及
其中，第一金属层包含第一金属，所述第一金属抑制第二金属扩散到半导体芯片中。
7.如权利要求6所述的半导体封装件，其中，第一金属包含铝，第二金属包含铜。
8.如权利要求6所述的半导体封装件，其中，第一金属层和第二金属层之间的界面是不平坦的。
9.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，封装基底包括设置在封装基底的顶表面的边缘区域上的接地焊盘，以及
其中，散热层包括穿过模制层且电连接到接地焊盘的接地接触件。
10.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，封装基底包括设置在封装基底的顶表面的边缘区域上的接地焊盘，以及
散热层包括朝向封装基底的顶表面的边缘区域延伸并且连接到接地焊盘的接地接触件。
11.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，封装基底包括设置在封装基底的边缘区域的侧表面上的接地焊盘，以及
散热层包括覆盖封装基底的边缘区域的侧表面并且连接到接地焊盘的接地接触件。
12.一种半导体封装件，包括：
封装基底，包括彼此面对的顶表面和底表面；
半导体芯片，安装在封装基底的顶表面上，所述半导体芯片包括与封装基底的顶表面面对的底表面和与半导体芯片的底表面相对的顶表面；
模制层，设置在封装基底的顶表面上以包围半导体芯片并且具有与半导体芯片的顶表面共面的顶表面；以及
散热层，设置在半导体芯片和模制层上，
其中，散热层与半导体芯片的顶表面和模制层的顶表面直接接触，以及
半导体芯片的顶表面具有比模制层的顶表面的表面粗糙度小的表面粗糙度。
13.如权利要求12所述的半导体封装件，其中，散热层包括：
底表面，与半导体芯片的顶表面和模制层的顶表面直接接触；以及
顶表面，与散热层的底表面相对，
其中，散热层的顶表面是不平坦的。
14.如权利要求12所述的半导体封装件，其中，散热层在封装基底的顶表面上具有均匀的厚度。
15.如权利要求12所述的半导体封装件，其中，散热层在封装基底的顶表面上具有不均匀的厚度。
16.如权利要求12所述的半导体封装件，其中，散热层完全地覆盖半导体芯片的顶表面和模制层的顶表面。
17.如权利要求12所述的半导体封装件，其中，散热层覆盖半导体芯片的顶表面的一部分和模制层的顶表面的一部分。
18.一种半导体封装件，包括：
封装基底，包括彼此面对的顶表面和底表面；
半导体芯片，安装在封装基底的顶表面上，所述半导体芯片包括与封装基底的顶表面面对的底表面和与半导体芯片的底表面相对的顶表面；
模制层，位于封装基底的顶表面上、包围半导体芯片并且具有与半导体芯片的顶表面共面的顶表面；以及
散热层，覆盖半导体芯片和模制层，
其中，散热层在散热层与半导体芯片之间的第一界面处接触半导体芯片，
其中，散热层在散热层与模制层之间的第二界面处接触模制层，以及
其中，第一界面和第二界面是不平坦的。
19.如权利要求18所述的半导体封装件，其中，第一界面具有第一表面粗糙度，第二界面具有比第一表面粗糙度大的第二表面粗糙度。
20.如权利要求18所述的半导体封装件，其中，散热层具有与第一界面相对的顶表面，散热层的所述顶表面是不平坦的或平坦的。
21.一种半导体封装件，包括：
封装基底，包括彼此面对的顶表面和底表面；
半导体芯片，安装在封装基底的顶表面上，所述半导体芯片包括与封装基底的顶表面面对的底表面和与半导体芯片的底表面相对的顶表面；
模制层，设置在封装基底的顶表面上以包围半导体芯片并且覆盖半导体芯片的顶表面；以及
散热层，设置在半导体芯片和模制层上，
其中，散热层与模制层的顶表面直接接触并且与半导体芯片的顶表面分隔开。
22.如权利要求21所述的半导体封装件，其中，散热层包括：
底表面，与模制层的顶表面直接接触并且与半导体芯片的顶表面分隔开；以及
顶表面，与散热层的底表面相对，
其中，散热层的顶表面是不平坦的。
23.如权利要求21所述的半导体封装件，其中，散热层在封装基底的顶表面上具有均匀的厚度。
24.如权利要求21所述的半导体封装件，其中，散热层在封装基底的顶表面上具有不均匀的厚度。
25.如权利要求21所述的半导体封装件，其中，散热层包括：
第一金属层，邻近于模制层的顶表面；以及
第二金属层，设置在第一金属层上，以及
其中，第二金属层包含第二金属，所述第二金属的热导率高于第一金属层的热导率。