1.一种用于制造一半导体结构的方法，其特征在于，该方法包含：
形成一栅极结构于一基板上；
形成一衬里层以覆盖该栅极结构及该基板；
形成一间隔物层于该衬里层上；
连续提供一蚀刻气体以移除该间隔物层的一部分，及该蚀刻气体具有一第一压力；以及
将该基板维持在一第二压力下，该第二压力大于该第一压力。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过排出该蚀刻气体及该蚀刻气体的一副产物将该基板维持于该第二压力。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该间隔物层的该部分被移除以形成一锥形间隔物，该锥形间隔物邻近于该衬里层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，该锥形间隔物的一顶部宽度小于该锥形间隔物的一底部宽度。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该栅极结构包含：
一栅极绝缘层；
一浮动栅极位于该栅极绝缘层上；
一栅极间介电层位于该浮动栅极上；以及
一控制栅极位于该栅极间介电层上。
6.一种用于制造一半导体结构的方法，其特征在于，该方法包含：
形成两个栅极结构于一基板上；
形成一间隔物层以覆盖该两个栅极结构，及一间隙位于该两个栅极结构之间；
根据该间隙的一深宽比而移除该间隔物层的一部分，以分别在该两个栅极结构的侧壁上形成锥形间隔物，及该基板与该锥形间隔物的一侧表面之间的一夹角相对于该间隙的该深宽比增大而减少；及
形成一层间介电层以完全充填该间隙。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该间隙的该深宽比介于2至6的一范围中。
8.一种用于制造一半导体结构的方法，其特征在于，该方法包含：
将一基板置于一真空腔室中，该基板上具有一栅极结构及覆盖该栅极结构的一间隔物层；
将一蚀刻气体供应至该真空腔室内；
将该蚀刻气体控制在一第一压力下；及
使用一排气元件以将该真空腔室维持在大于该第一压力的一第二压力下，及通过该蚀刻气体移除该间隔物层的一部分以形成一锥形间隔物。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该基板与该锥形间隔物的一侧表面之间的一夹角介于40度至75度的一范围中。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该锥形间隔物的一顶部宽度小于该锥形间隔物的一底部宽度。