1.一种集成电路，其特征在于，其包括信号单元，
所述信号单元包括封装垫、低压区域及接收单元、PMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元的前级驱动、PMOS驱动单元、NMOS驱动单元和用作静电保护的P型二极管及N型二极管，
所述封装垫在晶片上的投影区域与PMOS驱动单元和NMOS驱动单元在晶片上的投影区域分开。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，
所述封装垫在晶片上的投影区域与用作静电保护的P型二极管和N型二极管在晶片上的投影区域分开。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，
用作静电保护的P型二极管、PMOS驱动单元和PMOS驱动单元的前级驱动位于低压区域及接收单元的一侧；
NMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元和用作静电保护的N型二极管位于低压区域及接收单元的另一侧。
4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，
从内到外依次排布有用作静电保护的P型二极管、PMOS驱动单元、PMOS驱动单元的前级驱动、低压区域及接收单元、NMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元和用作静电保护的N型二极管，
所述封装垫位于所述低压区域及接收单元上方。
5.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述信号单元还包括一个或多个中继器，
所述中继器的一端与所述集成电路中的产生低压信号相连，其另一端与所述低压区域及接收单元相连。
6.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，
其还包括电源单元和地单元，所述电源单元与信号单元的电源线相连，所述地单元与信号单元的地线相连，所述电源单元和地单元位于所述信号单元的周围。
7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，
所述电源单元和地单元分别位于信号单元的上侧和下侧，或者，电源单元位于所述信号单元的上侧，所述地单元并列于所述信号单元的左右两侧，或者，电源单元并列于所述信号单元的左右两侧，所述地单元位于所述信号单元的下侧。
8.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，在P型二极管、PMOS驱动单元的上方形成有电源线，
PMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元的前级驱动和低压区域及接收单元的上方形成有地线和电源线，
在NMOS驱动单元和N型二极管的上方形成有地线，
其中P型二极管、PMOS驱动单元的上方形成的电源线比PMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元的前级驱动和低压区域及接收单元的上方形成的电源线的数量更多，
NMOS驱动单元和N型二极管的上方形成的地线较PMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元的前级驱动和低压区域及接收单元的上方形成的地线的数量更多。
9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述电源线、地线、封装垫是由晶片上部的金属层形成。
10.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其为双倍率同步动态随机存储器。