存储器的形成方法与流程

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器的形成方法。

背景技术：

随着信息技术的发展，存储信息量急剧增加。存储信息量的增加促进了存储器的飞速发展。

快闪存储器(Flash memory)又称闪存，已经成为非挥发性存储器的主流存储器。闪存的主要特点是在不加电的情况下能够长期保持存储的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，在微机和自动化控制领域得到了广泛的应用。

闪存的广泛应用也给存储器形成工艺的稳定性提出了更高的要求。在存储器的形成工艺中往往通过存储器的线宽变化对工艺过程进行控制。线宽的变化范围即为存储器形成工艺的工艺窗口。工艺窗口越大对工艺过程的控制越容易，存储器的形成工艺越稳定；工艺窗口越小对工艺过程的控制越困难，存储器的形成工艺越不稳定。

然而，现有的存储器的形成方法仍然存在工艺稳定性差，存储器的形成工艺难以控制的缺点。

技术实现要素：

本发明解决的问题是提供一种存储器的形成方法，能够提供存储器形成工艺的稳定性，降低工艺控制的难度。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有初始栅极层，所述初始栅极层上具有牺牲层，所述牺牲层中具有第一开口；在所述第一开口侧壁的牺牲层侧壁表面形成初始第一侧墙，所述初始第一侧墙位于所述初始栅极层上，所述初始第一侧墙包括底部区域和位于所述底部区域上的顶部区域；对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀，减小所述顶部区域的初始第一侧墙的厚度，形成第一侧墙；去除所述第一开口底部暴露出的初始栅极层，形成栅极层和位于所述栅极层和牺牲层中的第二开口；形成第一侧墙和所述栅极层之后，形成覆盖所述栅极层侧壁的第二侧墙，所述第二侧墙顶部低于所述第一侧墙底部区域的顶部；形成所述第二侧墙之后，在所述第二开口中形成字线结构；形成所述字线结构之后，去除所述牺牲层。

可选的，对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀的工艺包括自对准各向异性干法刻蚀。

可选的，形成所述第二侧墙的步骤包括：形成覆盖于所述第一侧墙、所述牺牲层和所述衬底上的初始第二侧墙；对所述初始第二侧墙进行第二刻蚀，去除所述第一侧墙顶部区域、所述牺牲上和所述衬底上的第二初始侧墙，形成第二侧墙。

可选的，对所述初始第二侧墙进行第二刻蚀的工艺包括自对准各向异性干法刻蚀。

可选的，对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀的工艺参数包括：刻蚀气体包括C₄F₈、O₂和CO。

可选的，形成所述栅极层之后，对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀；或者形成所述栅极层之前，对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀。

可选的，所述第二侧墙顶部与所述牺牲层顶部表面的高度差大于62nm。

可选的，去除所述牺牲层的工艺包括湿法刻蚀工艺。

可选的，形成所述字线结构的步骤包括：在所述第二开口中和所述牺牲层上形成初始字线结构；对初始字线结构进行平坦化处理，去除所述牺牲层上的初始字线结构，形成字线结构。

可选的，所述第二侧墙和所述牺牲层的材料相同。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案提供的存储器的形成方法中，所述字线结构的高度最大值根据能够在牺牲层顶部的字线结构被完全去除时的平坦化位置决定，所述字线结构高度的最小值由不暴露出第二侧墙的位置决定，因此需要对字线结构的高度进行控制。由于字线结构的顶部尺寸与字线结构的高度具有关系，因此能够通过检测字线结构的宽度以确定字线结构的高度。形成初始第一侧墙之后，对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀，能够减小所述顶部区域的初始第一侧墙的厚度，从而能够增加所述第一开口靠近顶部的部分区域宽度，进而能够增加所述第一开口靠近顶部的部分区域宽度与所述第一开口底部宽度的差值。在形成所述字线结构之后，所述牺牲层上的字线结构材料被完全去除时，所述字线结构的顶部位于所述第一开口靠近顶部的部分区域内，所述字线结构顶部的最大宽度为第一宽度；当所述字线不暴露出第二侧墙时，需要使字线顶部表面高于第二侧墙的顶部，而所述字线与第二侧墙顶部齐平的位置处具有第二宽度；即当字线结构的顶部宽度范围在第一宽度和第二宽度范围内时，能够保证牺牲层上不残留字线结构材料且第二侧墙不被暴露。由于所述第一开口靠近顶部的部分区域宽度与所述第一开口底部宽度的差值较大，因此，所述第一宽度与所述第二宽度的差值较大，从而使在形成所述字线的过程中，字线顶部的宽度尺寸变化量易于被检测，从而容易通过字线顶部的尺寸变化控制所述字线结构的厚度，进而能够增加工艺的稳定性。

附图说明

图1至图3是一种存储器的形成方法各步骤的结构示意图；

图4至图13是本发明的存储器的使用方法一实施例各步骤的结构示意图。

具体实施方式

闪存存储器的形成方法存在工艺稳定性差，存储器的形成工艺难以控制的问题。

现结合闪存存储器的形成方法，分析现有存储器的形成方法工艺稳定性差，存储器的形成工艺难以控制的原因：

图1至图3是一种存储器的形成方法各步骤的结构示意图。

请参考图1，提供衬底100，并在所述衬底100上形成栅极层；在所述栅极层上形成牺牲层120，所述牺牲层120中具有开口121，所述开口121暴露出栅极层部分表面；形成覆盖所述开口121侧壁的第一侧墙122；以所述第一侧墙122和所述牺牲层120为掩膜对所述栅极层进行刻蚀至暴露出所述衬底100表面，形成栅极结构112。

请参考图2，形成覆盖所述第一侧墙122和所述栅极结构112侧壁的第二侧墙123。

请参考图3，形成第二侧墙123之后，在所述开口121(如图2所示)中和所述牺牲层120上形成初始字线结构；对所述初始字线结构进行平坦化处理，去除所述牺牲层120上的初始字线结构，形成字线结构131。

后续去除所述牺牲层120；以所述字线结构131和所述第一侧墙122为掩膜对所述栅极层112进行刻蚀，形成控制栅。

其中，在对所述初始字线结构进行平坦化处理的过程中，所述字线结构的去除厚度不能过大，也不能过小。如果去除的初始字线结构的厚度较大，容易使所述第二侧墙123暴露出来，从而使所述第二侧墙123容易在去除所述牺牲层120的过程中被去除，进而容易影响字线结构131与控制栅之间的电绝缘性能；如果去除的初始字线结构的厚度较小，容易在所述牺牲层120上残留初始字线结构材料，导致所述牺牲层131不容易被去除。综上，在存储器的形成方法中，需要对所述初始字线结构的平坦化处理过程进行控制。

所述存储器的形成方法通过对所述初始字线结构顶部表面的宽度d(如图3所示)进行测量，从而控制所述平坦化处理过程。当平坦化处理至所述字线结构131暴露出所述第二侧墙123时，所述字线结构131顶部的宽度为第一宽度，当平坦化处理至所述牺牲层120表面的字线结构131被完全去除时，所述字线结构131顶部的宽度为第二宽度，则工艺窗口为所述第一宽度与第二宽度的差值。

具体的，由于所述第二侧墙123是依附于所述第一侧墙122侧壁形成的，不垂直于衬底100的部分第一侧墙122高度较小，则所述第二侧墙123顶部与所述字线结构131顶部表面的高度差h(如图2所示)较小，当平坦化处理去除的所述初始字线结构130厚度较大时，即当所述初始字线结构顶部宽度d为0.21μm时，所述第二侧墙123被暴露出来；当平坦化处理去除的所述初始字线结构厚度较小时，即当所述初始字线结构顶部宽度d为0.29μm时，在所述牺牲层120上会残留有初始字线结构材料。综上，所述平坦化处理过程中，所述工艺窗口较小(小于0.04μm)，不容易对所述平坦化处理过程进行控制，从而容易影响所述平坦化处理过程的稳定性。

为解决所述技术问题，本发明提供了一种存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有初始栅极层，所述初始栅极层上具有牺牲层，所述牺牲层中具有第一开口；在所述第一开口侧壁的牺牲层侧壁表面形成初始第一侧墙，所述初始第一侧墙位于所述初始栅极层上，所述初始第一侧墙包括底部区域和位于所述底部区域上的顶部区域；对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀，减小所述顶部区域的初始第一侧墙的厚度，形成第一侧墙；去除所述第一开口底部暴露出的初始栅极层，形成栅极层和位于所述栅极层和牺牲层中的第二开口；形成第一侧墙和所述栅极层之后，形成覆盖所述栅极层侧壁的第二侧墙，所述第二侧墙顶部低于所述第一侧墙底部区域的顶部；形成所述第二侧墙之后，在所述第二开口中形成字线结构；形成所述字线结构之后，去除所述牺牲层。

其中，所述字线结构的高度最大值根据能够在牺牲层顶部的字线结构被完全去除时的平坦化位置决定，所述字线结构高度的最小值由不暴露出第二侧墙的位置决定，因此需要对字线结构的高度进行控制。由于字线结构的顶部尺寸与字线结构的高度具有关系，因此能够通过检测字线结构的宽度以确定字线结构的高度。形成初始第一侧墙之后，对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀，能够减小所述顶部区域的初始第一侧墙的厚度，从而能够增加所述第一开口靠近顶部的部分区域宽度，进而能够增加所述第一开口靠近顶部的部分区域宽度与所述第一开口底部宽度的差值。在形成所述字线结构之后，所述牺牲层上的字线结构被完全去除时，所述字线结构的顶部位于所述第一开口靠近顶部的部分区域内，所述字线结构顶部的最大宽度为第一宽度；当所述字线不暴露出第二侧墙时，需要使字线顶部表面高于第二侧墙的顶部，而所述字线与第二侧墙顶部齐平的位置处具有第二宽度；即当字线结构的顶部宽度范围在第一宽度和第二宽度范围内时，能够保证牺牲层上不残留字线结构材料且第二侧墙不被暴露。由于所述第一开口靠近顶部的部分区域宽度与所述第一开口底部宽度的差值较大，因此，所述第一宽度与所述第二宽度的差值较大，从而使在形成所述字线的过程中，字线顶部的宽度尺寸变化量易于被检测，从而容易通过字线顶部的尺寸变化控制所述字线结构的厚度，进而能够增加工艺的稳定性。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图4至图13是本发明存储器的形成方法一实施例各步骤的结构示意图。

提供衬底，所述衬底上具有初始栅极层，所述初始栅极层上具有牺牲层，所述牺牲层中具有第一开口。

本实施例中，形成所述初始栅极层和所述牺牲层的步骤如图4和图5所示。

请参考图4，提供衬底200。

本实施例中，所述衬底200为硅衬底。在其他实施例中，所述衬底的材料还可以为锗衬底、硅锗衬底、绝缘体上硅衬底、绝缘体上锗衬底等半导体衬底。

继续参考图4，在所述衬底200上形成栅极层210。

所述栅极层210后续用于形成存储单元。

本实施例中，所述栅极层210包括：位于所述衬底200上的控制栅层，在其他实施例中，所述栅极层还可以包括：位于所述衬底和所述控制栅层之间的栅介质层。

本实施例中，形成所述栅极层210之前还包括：在所述衬底200上形成隧穿氧化层(图中未示出)；在所述隧穿氧化层上形成浮栅层(图中未示出)；在所述浮栅层上形成栅介质层(图中未示出)。在其他实施例中，所述衬底上还可以不具有所述隧穿氧化层和所述浮栅层。

请参考图5，在所述初始栅极层210上形成牺牲层220，所述牺牲层220中具有第一开口221，所述第一开口221暴露出所述初始栅极层210部分表面。

所述牺牲层220用于为后续形成第一侧墙和第二侧墙提供平台。

本实施例中，所述牺牲层220的材料为氧化硅。

本实施例中，形成所述牺牲层220的步骤包括：在所述栅极层210上形成初始牺牲层；在所述初始牺牲层上形成图形化的掩膜层，所述掩膜层暴露出部分所述初始牺牲层表面；以所述掩膜层为掩膜对所述初始牺牲层进行刻蚀，形成牺牲层220和位于所述牺牲层220中的第一开口221。

本实施例中，为了使所述初始牺牲层在刻蚀过程中具有较强的各向异性，从而使所述第一开口221侧壁的垂直性好，且后续能够较容易地去除所述牺牲层220，所述牺牲层220和初始牺牲层的材料为氧化硅。

本实施例中，所述掩膜层的材料为氮化硅。

请参考图6，在所述第一开口221侧壁暴露出的牺牲层220侧壁表面形成初始第一侧墙230，所述初始第一侧墙230位于所述栅极层211上，所述初始第一侧墙130包括底部区域和位于所述底部区域上的顶部区域。

所述初始第一侧墙230用于后续形成第一侧墙。

本实施例中，为了使所述第一侧墙231与所述牺牲层220之间具有一定的刻蚀选择比，所述初始第一侧墙230的材料与所述牺牲层220的材料不相同，所述初始第一侧墙230的材料为氮化硅。

如果所述初始第一侧墙230的厚度过大，容易给形成工艺带来困难；如果所述初始第一侧墙230的厚度过小，容易使所述初始第一侧墙230下方的栅极层211宽度过小，从而使后续形成的控制栅宽度过小，进而容易影响所形成半导体结构的性能。具体的，本实施例中，所述初始第一侧墙230的最大宽度为55nm～65nm。

本实施例中，形成所述初始第一侧墙230的步骤包括：在所述第一开口221底部和侧壁表面以及所述牺牲层220上形成第一侧墙材料层；对所述第一侧墙材料层进行第三刻蚀，去除所述第一开口221底部及所述牺牲层220上的第一侧墙材料层，形成初始第一侧墙230。

本实施例中，第三刻蚀为各向异性干法刻蚀工艺，各向异性干法刻蚀工艺在横向的刻蚀速率小于纵向的刻蚀速率，对所述第一开口221侧壁表面的第一侧墙材料层损耗小，从而能够形成所述初始第一侧墙230。

本实施例中，所述第三刻蚀的刻蚀气体包括：CF₄、CHF₃和Ar。

请参考图7，对所述初始第一侧墙230进行第一刻蚀，减小所述顶部区域的初始第一侧墙230(如图6所示)的厚度，形成第一侧墙231。

所述第一刻蚀为各向异性刻蚀工艺。

形成初始第一侧墙230之后，对所述初始第一侧墙230进行第一刻蚀，能够使所述初始第一侧墙230的高度降低，且能够使所述顶部区域初始第一侧墙230的宽度减小，能够增加所述第一开口221靠近顶部的部分区域宽度，进而能够增加所述第一开口221靠近顶部的部分区域宽度与所述第一开口221底部宽度的差值。

此外，所述第一刻蚀为各向异性刻蚀工艺，所述第一开口221两侧第一侧墙231侧壁之间的间距不容易减小，且后续形成的第二侧墙232顶部低于所述底部区域第一侧墙231的顶部，因此，在形成所述字线的过程中，在恰好不暴露出所述第二侧墙232的情况下，所述第一刻蚀不容易使字线顶部宽度的增加过大。综上，所述形成方法形成字线的工艺窗口较大，字线结构的形成工艺较稳定。

本实施例中，通过自对准各向异性干法刻蚀工艺对所述初始第一侧墙230进行第一刻蚀。自对准各向异性干法刻蚀工艺在横向的刻蚀速率小于纵向的刻蚀速率，对初始第一侧墙230侧壁的损耗小，从而不容易减小所述初始第一侧墙230的最大厚度，进而不容易减小第二侧墙231之间的间距，能够增加所述第一开口221靠近顶部的部分区域宽度与所述第一开口221底部宽度的差值。

如果所述第一侧墙231与所述牺牲层220的材料相同，在刻蚀所述初始第一侧墙230的过程中所述牺牲层220容易被刻蚀。因此，所述第一侧墙231与所述牺牲层220的材料不相同。具体的，所述第一侧墙231的材料为氧化硅。

本实施例中，所述第一刻蚀的刻蚀气体包括：C₄F₈、O₂和CO。

本实施例中，所述第一刻蚀使所述第一侧墙231与所述牺牲层220接触的顶部低于所述牺牲层220顶部表面。

本实施例中，所述第一刻蚀使所述初始第一侧墙230侧壁的高度降低过大，容易给第一刻蚀工艺带来困难；如果第一刻蚀使所述第一侧墙231侧壁的高度降低过小，不利于增加后续形成字线的工艺稳定性。具体的，所述第一刻蚀使所述初始第一侧墙230侧壁的高度降低450埃～550埃，例如500埃。也就是说，本实施例中，所述第一侧墙231与所述牺牲层220接触的顶部与所述牺牲层220顶部表面的高度差为450埃～550埃，例如500埃。

本实施例中，所述第一侧墙231与所述初始第一侧墙230的最大厚度接近。具体的，所述第一侧墙231的最大厚度为55nm～65nm。

请参考图8，去除所述第一开口221底部暴露出的初始栅极层210(如图7所示)，形成栅极层211和位于所述栅极层211和牺牲层220中的第二开口222。

本实施例中，所述栅极层211后续用于形成控制栅。

本实施例中，以所述第一侧墙231和所述牺牲层220为掩膜对所述初始栅极层210(如图5所示)进行刻蚀，形成第二开口222。

本实施例中，所述第一刻蚀之后，以所述第一侧墙231和所述牺牲层220为掩膜对所述初始栅极层210进行刻蚀，形成栅极层211。在其他实施例中，还可以在第一刻蚀之前，去除所述第一开口底部的初始栅极层，形成栅极层。

本实施例中，通过干法刻蚀工艺去除所述第一开口221底部暴露出的初始栅极层210。干法刻蚀工艺具有各向异性，对所述栅极层211侧壁的损耗小。

请参考图9，形成第一侧墙231和所述栅极层211之后，形成覆盖所述栅极层211侧壁的第二侧墙232，所述第二侧墙232顶部低于所述底部区域的第一侧墙231的顶部。

由于所述第二开口222两侧的第二侧墙232之间的间距不容易减小，且所述第二侧墙232顶部低于所述底部区域的第一侧墙231的顶部，因此，在后续形成字线结构的过程中，在不暴露出所述第二侧墙232的情况下，所述第一刻蚀不容易使字线结构顶部宽度的增加过大，从而能够保证后续形成字线结构的工艺窗口较大。

本实施例中，形成所述第二侧墙232的步骤包括：形成覆盖所述第一侧墙、所述牺牲层220和所述衬底200的初始第二侧墙；对所述初始第二侧墙进行第二刻蚀，去除所述第一侧墙231顶部区域、所述牺牲层220上和所述衬底200上的初始第二侧墙，形成第二侧墙232。

本实施例中，如果所述第二侧墙232与第一侧墙231的材料相同，在对所述初始第二侧墙进行第二刻蚀的过程中，所述第一侧墙231容易被刻蚀。因此，所述第二侧墙232与所述第一侧墙231的材料不相同；此外，所述第二侧墙232需要具有较好的绝缘性，且对初始第二侧墙的刻蚀具有良好的各向异性，所述第二侧墙232的材料为氧化硅，即所述第二侧墙232与所述牺牲层220的材料相同。

本实施例中，由于所述底部区域的第一侧墙231侧壁的高度较小，因此所述第二侧墙232的高度较小，从而使所述第二侧墙232与所述牺牲层220顶部表面的高度差较大，从而在厚后续对初始字线结构进行平坦化处理的过程中，不容易暴露出所述第二侧墙232。

具体的，本实施例中，所述第二侧墙232与所述牺牲层220顶部表面的高度差大于62nm。具体的，所述第二侧墙232的高度为150nm～190nm，所述第二侧墙232与所述牺牲层220顶部表面的高度差为100nm～140nm。

本实施例中，形成所述第二侧墙232之后，所述形成方法还包括：以所述第一侧墙231、第二侧墙232和牺牲层220为掩膜，对所述隧穿氧化层、浮栅层和栅介质层进行刻蚀，去除所述第二开口222底部暴露出的隧穿氧化层、浮栅层和栅介质层。

后续形成所述第二侧墙232之后，在所述第二开口222中形成字线结构。

本实施例中，形成所述字线结构的步骤如图10和11所示。

请参考图10，在所述第二开口222(如图10所示)中和所述牺牲层220上形成初始字线结构240。

所述初始字线结构240用于后续形成字线结构。

本实施例中，所述初始字线结构240包括：位于所述第二开口222侧壁和底部表面以及所述牺牲层220上的初始氧化层；位于所述初始氧化层上的初始字线层。

本实施例中，所述初始氧化层的材料为氧化硅；所述初始字线层的材料为多晶硅。

请参考图11，对初始字线结构240(如图10所示)进行平坦化处理，去除所述牺牲层220上的初始字线结构240，形成字线结构241。

需要说明的是，在所述平坦化处理的过程中，如果去除的初始字线结构240的厚度过大，容易使所述字线结构241暴露出第二侧墙232，从而容易导致所述第二侧墙232容易在后续去除所述牺牲层220的过程中被去除，进而降低字线结构241与栅极层211之间的绝缘性；如果去除的牺牲层220厚度过小，容易使所述牺牲层220上残留初始字线结构240材料，从而影响后续牺牲层220的去除。因此，需要对所述平坦化处理过程进行控制。

所述字线结构241的高度最大值根据能够在牺牲层220顶部的字线结构241被完全去除时的平坦化位置决定，所述字线结构241高度的最小值由不暴露出第二侧墙232的位置决定，因此需要对字线结构241的高度进行控制。由于字线结构241的顶部尺寸与字线结构241的高度具有关系，因此能够通过检测字线结构241的宽度以确定字线结构241的高度，对所述平坦化处理过程进行控制。

本实施例中，通过对所述初始字线结构240顶部表面的宽度d进行测量，从而控制所述牺牲层220的去除量。由于所述第一刻蚀能够使所述初始第一侧墙230的高度降低，且能够使所述顶部区域的初始第一侧墙230宽度减小，从而使字线结构241两侧的第一侧墙231顶部之间间隙增大，进而能够在保证所述牺牲层220上的字线结构241被完全去除的情况下，使形成的字线结构241顶部的最大宽度较大，从而能够增加所述第二开口顶部与底部宽度的差值；此外，由于所述第一刻蚀为各向异性刻蚀工艺，所述字线结构241两侧第一侧墙231之间的间距不容易减小，且所述第二侧墙232顶部低于所述底部区域第一侧墙231的顶部。综上，在所述平坦化处理的过程中，在恰好不暴露出所述第二侧墙232的情况下，所述第一刻蚀不容易使字线结构241顶部宽度的增加过大，因此，所述平坦化处理的工艺窗口较大，所述字线结构241的形成工艺较稳定。

具体的，本实施例中，当所述初始字线结构240的去除厚度较小时，且所述牺牲层220上不容易残留字线结构241材料的情况下，所述字线结构241顶部宽度d为0.29μm；当所述初始字线结构240的去除厚度较大时，且所述字线结构241不会暴露出所述第二侧墙232的情况下，所述字线结构241顶部宽度d为0.21μm。因此，所述平坦化处理的工艺窗口大于0.08μm。

当平坦化处理至所述牺牲层220上的字线结构241被完全去除时，所述字线结构241顶部的宽度d为第一宽度；当平坦化处理至恰好不暴露出所述第二侧墙232顶部表面时，即当平坦化处理至所述字线与第二侧墙顶部齐平的位置处时，所述字线结构241顶部的宽度d为第二宽度。

所述平坦化处理的工艺窗口是指所述第一宽度与所述第二宽度之差。

本实施中，所述平坦化处理的工艺窗口较大，因此，所述平坦化处理的工艺稳定性好。

本实施例中，所述平坦化处理的工艺包括化学机械研磨。

请参考图12，形成所述字线结构241之后，去除所述牺牲层220。

本实施例中，通过湿法刻蚀去除所述牺牲层220。

本实施例中，所述平坦化处理的工艺窗口较大，工艺稳定性好，不容易暴露出所述第二侧墙232，因此，在去除所述牺牲层220的过程中，不容易损伤所述第二侧墙232，从而能够保证所述栅极层211与所述字线结构241之间的绝缘性。

请参考图13，以所述第一侧墙231和所述字线结构241为掩膜对所述栅极层211进行第四刻蚀，形成控制栅212。

本实施例中，对所述栅极层211进行第四刻蚀的工艺包括干法刻蚀工艺。

综上，本实施例中的存储器的形成方法中，所述字线结构的高度最大值根据能够在牺牲层顶部的字线结构被完全去除时的平坦化位置决定，所述字线结构高度的最小值由不暴露出第二侧墙的位置决定，因此需要对字线结构的高度进行控制。由于字线结构的顶部尺寸与字线结构的高度具有关系，因此能够通过检测字线结构的宽度以确定字线结构的高度。形成初始第一侧墙之后，对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀，能够减小所述顶部区域的初始第一侧墙的厚度，从而能够增加所述第一开口靠近顶部的部分区域宽度，进而能够增加所述第一开口靠近顶部的部分区域宽度与所述第一开口底部宽度的差值。在形成所述字线结构之后，所述牺牲层上的字线结构被完全去除材料时，所述字线结构的顶部位于所述第一开口靠近顶部的部分区域内，所述字线结构顶部的最大宽度为第一宽度；当所述字线不暴露出第二侧墙时，需要使字线顶部表面高于第二侧墙的顶部，而所述字线与第二侧墙顶部齐平的位置处具有第二宽度；即当字线结构的顶部宽度范围在第一宽度和第二宽度范围内时，能够保证牺牲层上不残留字线结构材料且第二侧墙不被暴露。由于所述第一开口靠近顶部的部分区域宽度与所述第一开口底部宽度的差值较大，因此，所述第一宽度与所述第二宽度的差值较大，从而使在形成所述字线的过程中，字线顶部的宽度尺寸变化量易于被检测，从而容易通过字线顶部的尺寸变化控制所述字线结构的厚度，进而能够增加工艺的稳定性。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。