本发明属于LED封装领域，尤其涉及一种LED封装用耐硫化耐UV涂层及其制备方法。
背景技术：
：LED目前所用封装材料有环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃、有机硅等高透明材料，其中环氧树脂与有机硅材料作为主要的封装材料，环氧树脂内应力过大，黄变、耐高低温性能差，耐老化性能差；而有机硅材料内应力小，耐高低温性能好，不黄变，透光率也高于环氧树脂，因此有机硅材料取代环氧树脂，被广泛用于LED封装领域。但是有机硅材料，特别是低折射率有机硅材料，因其低交联密度导致透氧透湿，在含硫气体作用下，会部分穿透封装材料，在银层与硅胶界面无粘接性，易生成硫化银，导致银层发黑。另外，有机硅材料在经过UV照射后，光通量迅速下降。因此制备高致密、耐硫化耐UV涂层迫在眉睫。技术实现要素：本发明针对上述现有技术存在的不足，提供一种LED封装用耐硫化耐UV涂层及其制备方法。本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种LED封装用耐硫化耐UV涂层，包括20-25重量份的全氢聚硅氮烷和75-80重量份的溶剂；其中，所述的全氢聚硅氮烷结构式为所述的溶剂为四氢呋喃、乙醚或乙酸甲酯。上述LED封装用耐硫化耐UV涂层的制备方法，步骤如下：(1)将20-25重量份的全氢聚硅氮烷溶解于75-80重量份的溶剂中，混合均匀；(2)将步骤(1)的混合物采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，控制UV固化时间为60秒，控制加热温度为100-120℃、加热时间为60秒；(3)去除多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型。本发明的LED封装用耐硫化耐UV涂层的固化机理为：其中，n＝20-30。本发明的有益效果是：本发明的全氢聚硅氮烷溶解于溶剂中，采用UV与加热的方式后，在芯片表面形成一层致密的二氧化硅排列结构，使得芯片的耐硫化和耐UV性能得到大大改善，光通量大大提高。具体实施方式以下结合实例对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。本发明实施例的耐硫化耐UV性能测试方法为：取固化后成品10pcs测试光通量作为初始数据，用双面胶贴在保鲜盒盒盖上，支架胶面朝下，取尺寸为10cm*10cm*5cm的保鲜盒，将双面胶一侧贴在保鲜盒盒盖内侧，另一侧粘贴胶面。在保鲜盒内加入硫粉2g，硫粉均匀铺在盒子底部且成粉状而非块状，将盒盖盖在盒体上，使保鲜盒密封。将保鲜盒置于80℃烘箱中,8h后取出；再将样品放入UV老化箱中，温度为50℃，波长280-400nm，放置24h后取出，测试光通量，计算光衰。实施例1将25份全氢聚硅氮烷溶解于75份无水乙醚中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为100℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。实施例2将23份全氢聚硅氮烷溶解于77份无水四氢呋喃中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为110℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。实施例3将20份全氢聚硅氮烷溶解于80份无水乙酸甲酯中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为115℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。实施例4将21份全氢聚硅氮烷溶解于79份无水四氢呋喃中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为120℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。实施例5将22份全氢聚硅氮烷溶解于78份无水乙酸甲酯中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为105℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。实施例6将25份全氢聚硅氮烷溶解于75份无水乙醚中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为120℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。表1为采用实施例1-6制得的涂层与未采用本发明涂层的光通量数据对照。表1未采用涂层实施例涂层实施例188.2％99.5％实施例288.1％99.1％实施例388.3％99.0％实施例488.0％99.1％实施例588.4％99.2％实施例688.4％99.4％由表1可以看出，采用本发明实施例制得的涂层，其光通量得到大大提高。以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页1 2 3