技术总结
本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种优化FOM值的沟槽功率MOS管器件及其制造方法，包括第一导电类型漏极区，位于所述第一导电类型漏极区上方的第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型外延层上方的第二导电类型阱区层，还包括：沟槽；栅氧化层；多晶硅层；源极区层；绝缘介质层；金属层；其中，所述栅氧化层底端部的厚度值大于所述栅氧化层侧面端的厚度值，所述栅氧化层底端部的厚度值大于所述多晶硅层顶端部的厚度值，所述栅氧化层底端部的厚度值小于所述沟槽的高度值，制造方法为制造优化FOM值的沟槽功率MOS管器件的方法。本发明在不影响通态电阻的基础上进一步优化栅氧电荷，最终降低器件的FOM(FOM＝Rdson*Qgd)值。
技术研发人员：袁力鹏;徐吉程;董超
受保护的技术使用者：西安后羿半导体科技有限公司
文档号码：201610852023
技术研发日：2016.09.27
技术公布日：2017.01.04