1.高密度线路芯片封装工艺，其特征是，包括以下步骤：
电镀：依照芯片的线路的图案在铜基板正面电镀形成电镀层，该电镀层作为所述线路；
粘晶通电：粘接晶粒并在晶粒与所述线路的焊位之间焊线以实现电连接；
塑封：在铜基板正面注塑形成塑胶保护层。
2.根据权利要求1所述的高密度线路芯片封装工艺，其特征是，
电镀步骤为：依照晶粒粘接区域的图案和芯片的线路的图案在铜基板正面电镀形成电镀层，该电镀层部分作为所述线路，部分作为晶圆底座；
粘晶通电步骤中，将晶粒粘接在晶圆底座上。
3.根据权利要求1或2所述的高密度线路芯片封装工艺，其特征是，在塑封步骤之前，还包括以下步骤：
微蚀：轻微蚀刻铜基板正面，以将所述电镀层边缘下方的铜部分蚀去，形成锁胶槽。
4.根据权利要求3所述的高密度线路芯片封装工艺，其特征是，微蚀步骤在电镀步骤之后，粘晶通电步骤之前。
5.根据权利要求1所述的高密度线路芯片封装工艺，其特征是，在塑封步骤之后，还包括以下步骤：
全蚀：将铜基板全部蚀去；
制作背面保护层：在芯片背面的相应位置涂覆保护层，此保护层作为背面保护层；
制作外脚：在芯片背面的相应位置制作外脚，外脚与所述线路的相应位置连接。
6.根据权利要求5所述的高密度线路芯片封装工艺，其特征是，所述背面保护层为焊接掩膜，制作外脚步骤具体地：在芯片背面的相应位置粘贴锡球作为外脚，锡球与所述线路的相应位置连接。