1.一种干刻蚀电极，包括相对放置的上部电极与下部电极，其特征在于，所述下部电极包括电极本体、电极凸台及遮蔽片，所述电极本体包括面对所述上部电极的第一表面，所述电极凸台突设于所述第一表面，所述遮蔽片设于所述第一表面且包围所述电极凸台，所述遮蔽片与所述电极凸台之间设有间隙，所述第一表面上设有沟槽，所述沟槽与所述电极凸台邻接，所述沟槽内填充第一隔离介质，所述间隙在所述第一表面上的正投影落入所述第一隔离介质范围内，所述第一隔离介质用于隔离等离子体与所述电极本体。
2.根据权利要求1所述的干刻蚀电极，其特征在于，所述电极凸台包括顶面和连接在所述顶面和所述第一表面之间的侧壁，所述顶面涂覆第二隔离介质，所述侧壁涂覆第三隔离介质。
3.根据权利要求2所述的干刻蚀电极，其特征在于，所述第三隔离介质延伸至所述顶面且与所述第二隔离介质形成层叠搭接结构。
4.根据权利要求3所述的干刻蚀电极，其特征在于，所述第二隔离介质上设有多个凸起点，所述凸起点用于放置待刻蚀的基板。
5.根据权利要求1所述的干刻蚀电极，其特征在于，填充至所述沟槽的所述第一隔离介质形成隔离介质层，所述隔离介质层的顶端与所述第一表面齐平。
6.根据权利要求1所述的干刻蚀电极，其特征在于，所述电极凸台与所述电极本体为一体式结构。
7.根据权利要求1所述的干刻蚀电极，其特征在于，所述遮蔽片包括背离所述第一表面的上平面，所述上平面与所述顶面齐平。
8.根据权利要求1所述的干刻蚀电极，其特征在于，所述第一隔离介质为氧化钇。
9.根据权利要求1所述的干刻蚀电极，其特征在于，所述沟槽的深度为50mm～100mm。
10.一种刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀机包括控制驱动电路及权利要求1至9任一项所述的干刻蚀电极，所述控制驱动电路电连接所述干刻蚀电极并对所述上部电极与所述下部电极之间施加射频电压。