一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：所述ZnMSnO中的M元素为过渡金属元素、且自身的氧化物为p型导电，为Cu、Ni、Ag、Au、Fe、Co、Mn元素中的一种，在所述ZnMSnO中M元素为自身的最低价态，；所述ZnMSnO中，Zn为+2价， Sn为+2价。

2.根据权利要求1所述的一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于： M为Cu元素，所述ZnMSnO即为ZnCuSnO， p型ZnCuSnO非晶薄膜的化学式为ZnCu_xSn_yO_1+0.5x+y，其中0.2≦x≦0.3，0.3≦y≦0.5。

3.根据权利要求2所述的一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：p型ZnCuSnO非晶薄膜的空穴浓度10¹⁵~10¹⁶cm^-3，可见光透过率≧85%。

4.如权利要求2或3所述p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于：制备p型ZnCuSnO非晶氧化物半导体薄膜包括步骤：

1）以高纯ZnO、Cu₂O和SnO粉末为原材料，混合，研磨，在1000℃的N₂气氛下烧结，制成ZnCuSnO陶瓷片为靶材，其中Zn、Cu、Sn三组分的原子比为1:0.2~0.):0.3~0.)；

2）采用射频磁控溅射方法，将衬底和靶材安装在溅射反应室中，抽真空至不高于1×10^-3Pa；

3）通入Ar-O₂为工作气体，气体压强1.1~1.2Pa，Ar-O₂流量体积比为10:2~10:3，溅射功率120~130W，衬底温度为25~300℃，在Ar-O₂离子的轰击下，靶材表面原子和分子溅射出来，在衬底上沉积形成一层薄膜，在Ar气氛下自然冷却到室温，得到p型ZnCuSnO非晶薄膜。