技术总结
本发明公开了一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜，所述ZnMSnO中的M元素为过渡金属元素、且自身的氧化物为p型导电，为Cu、Ni、Ag、Au、Fe、Co、Mn元素中的一种，在所述ZnMSnO中M元素为自身的最低价态；所述ZnMSnO中，Zn为+2价，为材料的基体元素；M为最低价态，掺入基体形成p型导电；Sn为+2价，具有球形电子轨道，在非晶状态下电子云高度重合，起到空穴传输通道的作用。本发明还公开了制备p型ZnCuSnO非晶氧化物半导体薄膜的方法，以ZnCuSnO陶瓷片为靶材，采用射频磁控溅射法，制得的p型ZnCuSnO非晶薄膜的空穴浓度1015~1016cm‑3，可见光透过率≧85%。本发明所制备的薄膜可以用于P型非晶薄膜晶体管。
技术研发人员：吕建国;程晓涵;叶志镇
受保护的技术使用者：浙江大学
文档号码：201610914173
技术研发日：2016.10.20
技术公布日：2017.05.24