1.一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将待测硅片进行扩散制结、去杂质玻璃层之后，采用四探针法测试其方块电阻，记为R1；
(2) 将步骤(1)的硅片进行热处理，激活其掺杂死层；
(3) 再次采用四探针法测试步骤(2)的硅片的方块电阻，记为R2；
(4) 当R1>R2并且(R1-R2)/R1≥3%时，则判定晶体硅太阳能电池存在扩散死层，且扩散死层中杂质原子的浓度和掺杂层中杂质原子的浓度之比为(R1-R2)/R1。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述热处理为：在氮气和/或惰性气体气氛中，将步骤(1)的硅片放入炉管中进行热处理，温度为950~1050℃，激活时间为5~60min。
3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，其特征在于：所述热处理的温度为1000℃，激活时间为5min。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述热处理为：采用532 nm激光进行热激活，激光脉冲宽度为50 ns~1 us，激光功率为0.1~2 J/cm2。
5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述待测硅片为P型硅片，通过磷扩散进行扩散制结，去磷硅玻璃层之后，采用四探针法测试其方块电阻。
6.一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将待测硅片进行扩散制结、去杂质玻璃层之后，采用电化学电容-电压法测试扩散杂质分布，记录0.15微米处的杂质浓度，记为C1；
(2) 将步骤(1)的硅片进行热处理，激活其掺杂死层；
(3) 再次采用电化学电容-电压法测试扩散杂质分布，记录0.15微米处的杂质浓度，记为C2；
(4) 当C1<C2并且(C2-C1)/C1≥10%时，则判定晶体硅太阳能电池存在扩散死层。
7.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述热处理为：在氮气和/或惰性气体气氛中，将步骤(1)的硅片放入炉管中进行热处理，温度为950~1050℃，激活时间为5~60min。
8.根据权利要求7所述的晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，其特征在于：所述热处理的温度为1000℃，激活时间为5min。
9. 根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述热处理为：采用532 nm激光进行热激活，激光脉冲宽度为50 ns~1 us，激光功率为0.1~2 J/cm2。
10.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述待测硅片为P型硅片，通过磷扩散进行扩散制结，去磷硅玻璃层之后，采用电化学电容电压法测试杂质浓度分布。