技术总结
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，包括如下步骤：(1)将待测硅片进行扩散制结、去杂质玻璃层之后，采用四探针法测试其方块电阻，记为R1；(2)将步骤(1)的硅片进行热处理，激活其掺杂死层；(3)再次采用四探针法测试步骤(2)的硅片的方块电阻，记为R2；(4)当R1>R2并且(R1‑R2)/R1≥3%时，则判定晶体硅太阳能电池存在扩散死层，且扩散死层中杂质原子的浓度和掺杂层中杂质原子的浓度之比为(R1‑R2)/R1。本发明通过激活掺杂死层的方式，测试激活前后方阻变化或者ECV分布的变化，从而确定掺杂工艺是否形成了死层。
技术研发人员：张高洁;王栩生;万松博;邢国强
受保护的技术使用者：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
文档号码：201610919275
技术研发日：2016.10.21
技术公布日：2017.02.22