技术总结
本发明涉及一种SiC或Si图案衬底上生长的粗化倒装GaAs基LED外延片及其制备方法，自上而下依次包括腐蚀阻挡层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、电流扩展层、SiC衬底或Si衬底，所述腐蚀阻挡层上设有凸起结构体及凹陷结构体。凸起结构体或凹陷结构体的设置，增加了表面的粗糙度，提高了倒装GaAs基LED外延片的出光效率，使实际出光率达到90％以上，解决了出光效率低的问题。
技术研发人员：李志虎;张新;于军;王成新;徐现刚
受保护的技术使用者：山东浪潮华光光电子股份有限公司
文档号码：201610937274
技术研发日：2016.10.25
技术公布日：2017.02.22