1.一种半导体结构，其特征在于，在薄膜晶体管上集成阻变存储器，所述半导体结构包括：
基底；
漏极和源极，分别形成于所述基底；
沟道层，形成于所述基底且位于所述漏极和源极之间，沟道层的两端分别延伸至漏极和源极的上方；
阻变层，形成在所述漏极、沟道层和源极之上，所述阻变层至少有一部分与所述漏极和源极相接触；
栅绝缘层，形成于所述沟道层、漏极、源极和阻变层的上方；
栅电极，形成于所述栅绝缘层上；
至少一个顶电极，形成于所述阻变层上，所述顶电极位于所述漏极或源极的上方。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道层由金属氧化物薄膜构成。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻变层为具有半导体特性的材料构成或者绝缘特性的材料构成，栅绝缘层由具有绝缘性的材料构成。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述阻变层和栅绝缘层由同种材料构成且阻变层内的缺陷比栅绝缘层内的缺陷多。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述漏极、源极和至少一个顶电极由导电薄膜材料构成。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底为硅基底、玻璃基底或石英基底中的任一种。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底为柔性基片。
8.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，在制备薄膜晶体管的同时形成阻变存储器，所述制备方法包括：
提供基底；
经淀积、剥离或者刻蚀后在基底上形成漏极和源极；
在漏极和源极之间的基底上形成沟道层，沟道层的两端分别延伸至漏极和源极的上方；
经沉积、剥离或者刻蚀后，在所述漏极、沟道层和源极之上形成阻变层，并使得阻变层至少有一部分与漏极和源极相接触；
在沟道层、漏极、源极和阻变层的上方形成栅绝缘层；
在栅绝缘层上形成栅电极；
在阻变层上形成至少一个顶电极，所述顶电极位于所述漏极或源极的上方。
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，阻变层为具有半导体特性的材料或者绝缘特性的材料，栅绝缘层由具有绝缘性的材料构成。
10.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在形成栅电极的同时形成至少一个顶电极。