技术总结
本发明提供一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构在薄膜晶体管上集成阻变存储器，该半导体结构包括基底、漏极、源极、沟道层、阻变层、栅绝缘层、栅电极和至少一个顶电极。漏极和源极分别形成于基底。沟道层形成于基底且位于漏极和源极之间，沟道层的两端分别延伸至漏极和源极的上方。阻变层至少有一部分与漏极或源极相接触。栅绝缘层形成于沟道层、漏极和源极的上方。栅电极形成于栅绝缘层上。至少一个顶电极形成于阻变层上。
技术研发人员：陆晓青
受保护的技术使用者：杭州潮盛科技有限公司
技术研发日：2016.11.02
技术公布日：2019.06.11