本发明涉及基板技术领域，特别是涉及一种防静电TFT基板的生产工艺。
背景技术：
目前，含有TFT(Thin-Film Transistor，薄膜场效应晶体管)基板的显示屏成为多种电子设备的主流显示设备，主要因为含有TFT基板的显示屏具有高响应度、高亮度、高对比度等优点。
而TFT式液晶显示屏应用在导航仪、交通工具上时，TFT式液晶显示屏需要有较强的应力，以达到防震、防撞的效果，所以TFT式液晶显示屏中的TFT基板的厚度一般在1mm～1.4mm之间。由于这种TFT基板没有经过薄化处理，表面氧化物、胶、油渍、灰尘残留较多，直接在TFT基板上加工防静电膜后，防静电膜容易脱落，导致TFT式液晶显示屏的防静电效果不好。
技术实现要素：
基于此，有必要提供一种防静电TFT基板的生产工艺，其制得的TFT基板的防静电效果较好。
一种防静电TFT基板的生产工艺，包括如下操作：
用UV胶对TFT基板的边缘进行封胶保护，再使所述UV胶固化，得到固化后的所述TFT基板；
用UV胶溶解剂对固化后的所述TFT基板进行擦拭，除去所述TFT基板的表面残留的所述UV胶，得到封胶后的所述TFT基板；
对封胶后的所述TFT基板依次进行酸溶液处理、第一次水洗、碱性溶液处理和第二次水洗，得到酸洗后的所述TFT基板，其中，碱性溶液为碱和流平剂的混合液；
对酸洗后的所述TFT基板依次进行第三次水洗、洗涤液洗涤、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋、冷风干燥和热风干燥，得到待镀膜的所述TFT基板；以及
在待镀膜的所述TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜，得到防静电TFT基板。
在其中一个实施例中，所述用再使所述UV胶固化的操作为，采用紫外线照射带有所述UV胶的所述TFT基板和所述UV胶，所述紫外线照射的时间为25min～60min。
在其中一个实施例中，所述酸溶液处理的操作为：制备所述酸溶液处理中的酸溶液，将封胶后的所述TFT基板浸泡在所述酸溶液中，并鼓泡搅拌所述酸溶液50min～70min。
在其中一个实施例中，所述制备所述酸溶液处理中的酸溶液的操作为：将质量浓度为70％的硫酸溶液与质量浓度为30％的氢氟酸按体积比300～1000:1的比例混合均匀。
在其中一个实施例中，所述碱性溶液中，所述碱的质量浓度为0.2％～1％，所述流平剂的体积百分比为2％～8％，所述碱性溶液的pH值为11～13。
在其中一个实施例中，所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠；所述流平剂为LX-3233B或BYC-5530。
在其中一个实施例中，所述洗涤液洗涤使用的洗涤液的pH为8～11。
在其中一个实施例中，所述高压喷淋的压力为1kg～2kg。
在其中一个实施例中，所述在待镀膜的所述TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜中，所述TFT基板的温度为60℃～80℃；所述磁控溅射的电压为300V～380V，所述磁控溅射的功率为3000W～3600W；所述磁控溅射的真空度为2.5×10-1Pa～3.50×10-3Pa。
在其中一个实施例中，所述TFT基板的厚度为1mm～1.4mm。
通过上述防静电TFT基板的生产工艺，可以制备得到表面镀有防静电薄膜的TFT基板。首先，采用UV胶对TFT基板的边缘进行封胶保护，再经过酸溶液处理将快速地将TFT基板表面的杂质清除，以提高防静电膜的质量。然后，对TFT基板进行喷淋和干燥，再在TFT基板上磁控溅射沉积形成防静电的ITO膜层，降低TFT基板的表面电阻，使产生的静电迅速从基板表面流出，防止静电的聚集，提高防静电的效果。
附图说明
图1为一实施方式的防静电TFT基板的生产工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施例对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
如图1所示的一实施方式的防静电TFT基板的生产工艺，包括如下操作：
S110，用UV胶对TFT基板的边缘进行封胶保护，再使UV胶固化。
首先将贴合好的待处理的TFT基板的四条边缘用UV胶封起来，防止酸溶液处理时，酸从TFT基板的边缘进入TFT基板内部，腐蚀TFT基板的线路，导致TFT基板的损坏。接着，用紫外线照射带有UV胶的TFT基板和UV胶，使UV胶固化。
其中，TFT基板的厚度可以为1mm～1.4mm。对UV胶进行固化的操作可以是采用紫外线照射固化UV胶，紫外线照射的时间为25min～60min。
优选地，采用立式照射对封胶在TFT基板边缘的UV胶进行紫外线照射。将封胶后的TFT基板放入UV固化机内，使用紫外线照射UV胶。UV固化机的温度为55℃～60℃。采用立式照射，可以避免烧坏TFT基板中的液晶分子。
S120，用UV胶溶解剂S110得到的TFT基板进行擦拭，除去TFT基板的表面残留的UV胶。
采用沾有UV胶溶解剂的无尘布，在固化后的TFT基板的表面上擦拭，除去残留在固化后的TFT基板的表面上的UV胶，减少酸溶液处理时TFT基板表面的UV胶对TFT基板的影响。其中，UV胶溶解剂为丙酮或者乙酸乙酯。
S130，对S120得到的TFT基板依次进行酸溶液处理、第一次水洗、碱性溶液处理和第二次水洗，其中，碱性溶液为碱和流平剂的混合溶液。
操作S130中采用的酸溶液为硫酸与氢氟酸的混合溶液。酸溶液由质量浓度为70％的硫酸溶液和质量浓度为30％的氢氟酸溶液按照体积比300～1000:1的比例混合均匀后制得。其中，硫酸可以去除TFT基板表面的灰尘、油污和其他杂质，氢氟酸用于蚀刻TFT基板的表面，去除TFT基板表面氧化的玻璃粉尘。
酸溶液处理的操作为将封胶后的TFT基板浸泡在酸溶液中，并鼓泡搅拌酸溶液50min～70min，蚀刻速率为0.3μm/min～0.9μm/min。蚀刻速率为单位时间内氢氟酸腐蚀TFT基板的表面厚度。影响蚀刻速率的因素有：氢氟酸的浓度、蚀刻时的温度以及鼓泡管的均匀性等。其中，温度一般为20℃～30℃。
采用的碱性溶液的pH值为11～13，碱性溶液为碱和流平剂的混合溶液。其中，碱性溶液中的碱的质量浓度为0.2％～1％，流平剂的体积百分比为2％～8％，溶剂为水。碱可以是氢氧化钾、氢氧化钠等；流平剂可以是LX-3233B、BYC-5530等。
上述碱性溶液的配制，可以先用水为溶剂配制质量浓度为30％～50％的碱溶液，再与流平剂以体积比为1:4的比例混合均匀，得初始碱性溶液，然后用水按水与初始碱性溶液的体积比为10～30:1的比例混合均匀即得。例如，先用水为溶剂配制质量浓度为30％～50％的氢氧化钾，再与LX-3233B以体积比为1:4的比例混合均匀，得到初始碱性溶液，再用水按水与初始碱性溶液的体积比为10～30:1的比例混合均匀，即得到碱性溶液。其中，碱性溶液中的碱主要用于中和用硫酸清洗封胶后的TFT基板时残留的硫酸；碱性溶液中流平剂主要用于提高TFT基板表面的光滑度，降低溶液的残留。
优选地，将TFT基板放置在酸槽中，酸槽中装有硫酸和氢氟酸的混合溶液，温度为25℃～30℃。酸槽底部装有鼓泡管，鼓泡50min～70min，使酸洗加速、均匀，蚀刻速率为0.3μm/min～0.9μm/min；然后依次浸泡在流动的水槽中180s～300s；浸泡在装有质量浓度为0.2％～1％的碱和体积百分比为2％～8％的流平剂的混合液的碱槽内180s～300s，溶液pH为11～13；最后浸泡到流动的水槽中180s～300s。
直接贴合的TFT基板表面氧化物、胶、油渍、灰尘残留较多，一般的清洗设备较难清除，通过酸洗能快速将基板表面杂质清除。酸洗能彻底去除基板上的污垢，使在镀防静电的ITO薄膜后，防静电膜在基板上的附着力更强，提高防静电膜的质量。
S140，对S130得到的TFT基板依次进行第三次水洗、洗涤液洗涤、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋、冷风干燥和热风干燥。
其中，洗涤液主要用于对酸洗后的TFT基板的高精度清洗，pH值为8～11。洗涤液可以包括操作S130采用的碱性溶液的稀释液；采用水将上述碱性溶液稀释至pH值为8～11，即得到洗涤液。
二流体喷淋是指将一种高压气态流体与一种液态流体混合后，再通过一种喷嘴高速喷出。优选地，气态流体为空气，液态流体为水，喷淋压力为1kg～2kg。二流体喷淋可以去除吸附在TFT基板表面的超微小颗粒。
超纯水喷淋是指用电阻率10MΩ*cm～16MΩ*cm的超纯水对TFT基板的表面进行普通喷淋。
高压喷淋是指高压喷淋超纯水，压力为1kg～2kg，在能保障清洁效果的同时，不损伤TFT基板。
上述清洗操作可以在清洗机中进行，主要将TFT基板表面的脏污及灰尘清洗干净。检验清洗后的TFT基板的表面质量，等待镀膜。
S150，在S140得到的TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜，得到防静电的TFT基板。
采用磁控溅射在待镀膜的TFT基板上沉积形成ITO薄膜中，TFT基板的温度为60℃～80℃，镀膜室基板的运行速度为0.8m/min～4m/min。磁控溅射的电压为300V～380V，磁控溅射的功率为3000W～3600W，镀膜时间为40s～60s。磁控溅射的真空度为2.5×10-1Pa～3.50×10-3Pa。
采用氧气作为反应气体，采用氩气所为工艺气体。优选地，反应气体的流量为180ccm2～220ccm2，工艺气体的流量为1000ccm2～1300ccm2。反应气体和工艺气体的纯度均为99.999％。
优选地，溅射室为两个，其中一个放置两个靶材，另一个放置一个靶材，采用三个靶材进行连续性镀膜制备层叠于TFT基板上的ITO薄膜，有利于提高膜层厚度的均匀性。
采用ITO靶材作为靶材，优选地，氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)的质量比为9:1。靶材与基板的距离为70mm～80mm。
采用磁控溅射在待镀膜的TFT基板上沉积形成ITO薄膜中，TFT基板的温度控制在60℃～80℃，防止高温下将TFT基板液晶烧坏。
优选地，上述采用磁控溅射制备层叠于待镀膜的TFT基板上的ITO薄膜之后，对得到的防静电TFT基板进行参数测试，参数包括防静电TFT基板的表面电阻、膜层厚度、膜透光率和膜层色差。
所制备得到的防静电TFT基板中，表面电阻应当不超过1000Ω/□，以满足TFT基板的使用需求；膜层厚度应当为150nm～250nm，以保证TFT基板的防ESD效果和透光率；膜透光率为镀膜后透过率与镀膜前透过率的比值，应当在95％以上，以满足TFT基板的使用需求；膜层色差△E≤0.5，以满足TFT基板的使用需求。
通过上述防静电TFT基板的生产工艺，可以制备得到表面镀有防静电薄膜的TFT基板。首先，采用UV胶对TFT基板的边缘进行封胶保护，再经过酸溶液处理将快速地将TFT基板表面的杂质清除，以提高防静电膜的质量。然后，对TFT基板进行喷淋和干燥，再在TFT基板上磁控溅射沉积形成防静电的ITO膜层，降低TFT基板的表面电阻，使产生的静电迅速从基板表面流出，防止静电的聚集，提高防静电的效果。
以下通过具体实施例进一步阐述。
实施例1
用UV胶对待处理的TFT基板的边缘进行封胶保护，再使UV胶固化。TFT基板的厚度为1mm，将封胶的TFT基板放入UV固化机内，温度为60℃，使用紫外线照射带有UV胶的TFT基板和UV胶，照射时间为30min。
采用沾有丙酮的无尘布，在固化后的TFT基板的表面上擦拭，除去残留在固化后的TFT基板的表面上的UV胶。
对封胶后的TFT基板依次进行酸溶液处理、第一次水洗、碱性溶液处理和第二次水洗。将TFT基板放置在装有70％硫酸溶液和30％氢氟酸溶液的混合溶液(体积比600:1)的酸槽内，浸泡60min，温度为30℃。酸槽底部装有鼓泡管，鼓泡使酸洗加速、均匀，蚀刻速率为0.6μm/min；然后依次浸泡在流动的水槽中300s；浸泡在装有pH为12的碱性溶液的碱槽内300s，其中，碱性溶液包括质量浓度为0.35％的氢氧化钾和体积百分比为8％的LX-3233B；最后浸泡到流动的水槽中300s。
对酸洗后的TFT基板依次进行水洗涤、洗涤液洗涤、二流体喷淋、超纯水喷淋和高压喷淋，再依次对高压喷淋后的TFT基板进行冷风干燥和热风干燥。其中，洗涤液的pH值为10，二流体喷淋的压力为1.5kg，高压喷淋的压力为1.5kg。
在待镀膜的TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜。采用磁控溅射时，TFT基板的温度为80℃，镀膜室基板的运行速度为1.2m/min。磁控溅射的电压为380V，磁控溅射的功率为3600W，镀膜时间为50s。磁控溅射的真空度为2.5×10-1Pa。
采用氧气作为反应气体，采用氩气所为工艺气体。反应气体的流量为200ccm2，工艺气体的流量为1200ccm2。反应气体和工艺气体的纯度均为99.999％。
采用ITO靶材作为靶材，氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)的质量比为9:1。靶材与基板的距离为80mm。
制备完成后，对得到的防静电TFT基板进行参数测试。测试结果为，表面电阻400Ω/□～500Ω/□之间，膜层厚度210nm，膜透光率95.8％，色标值L＝39.3,a＝-1.7,b＝-5，膜层色差△E≤0.5，产品合格。
实施例2
用UV胶对待处理的TFT基板的边缘进行封胶保护，再使UV胶固化。TFT基板的厚度为1.4mm，将封胶的TFT基板放入UV固化机内，温度为55℃，使用紫外线照射带有UV胶的TFT基板和UV胶，照射时间为25min。
采用沾有丙酮的无尘布，在固化后的TFT基板的表面上擦拭，除去残留在固化后的TFT基板的表面上的UV胶。
对封胶后的TFT基板依次进行酸溶液处理、第一次水洗、碱性溶液处理和第二次水洗。将TFT基板放置在装有70％硫酸溶液和30％氢氟酸溶液的混合溶液(体积比300:1)的酸槽内，浸泡70min，温度为25℃。酸槽底部装有鼓泡管，鼓泡使酸洗加速、均匀，蚀刻速率为0.9μm/min；然后依次浸泡在流动的水槽中180s；浸泡在装有pH为11的碱性溶液的碱槽内180s，其中，碱性溶液包括质量浓度为0.2％的氢氧化钾和体积百分比为2％的LX-3233B；最后浸泡到流动的水槽中180s。
对酸洗后的TFT基板依次进行水洗涤、洗涤液洗涤、二流体喷淋、超纯水喷淋和高压喷淋，再依次对高压喷淋后的TFT基板进行冷风干燥和热风干燥。其中，洗涤液的pH值为8，二流体喷淋的压力为1kg，高压喷淋的压力为1kg。
在待镀膜的TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜。采用磁控溅射时，TFT基板的温度为60℃，镀膜室基板的运行速度为2m/min。磁控溅射的电压为300V，磁控溅射的功率为3000W，镀膜时间为40s。磁控溅射的真空度为3.5×10-3Pa。
采用氧气作为反应气体，采用氩气所为工艺气体。反应气体的流量为180ccm2，工艺气体的流量为1000ccm2。反应气体和工艺气体的纯度均为99.999％。
采用ITO靶材作为靶材，氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)的质量比为9:1。靶材与基板的距离为70mm。
制备完成后，对得到的防静电TFT基板进行参数测试。测试结果为，表面电阻450Ω/□～550Ω/□之间，膜层厚度200nm，膜透光率95.1％，色标值L＝39.9,a＝-1.6,b＝-5，膜层色差△E≤0.5，产品合格。
实施例3
用UV胶对待处理的TFT基板的边缘进行封胶保护，再使UV胶固化。TFT基板的厚度为1.2mm，将封胶的TFT基板放入UV固化机内，温度为58℃，使用紫外线照射带有UV胶的TFT基板和UV胶，照射时间为28min。
采用沾有丙酮的无尘布，在固化后的TFT基板的表面上擦拭，除去残留在固化后的TFT基板的表面上的UV胶。
对封胶后的TFT基板依次进行酸溶液处理、第一次水洗、碱性溶液处理和第二次水洗。将TFT基板放置在装有70％硫酸溶液和30％氢氟酸溶液的混合溶液(体积比1000:1)的酸槽内，浸泡50min，温度为28℃。酸槽底部装有鼓泡管，鼓泡使酸洗加速、均匀，蚀刻速率为0.3μm/min；然后依次浸泡在流动的水槽中250s；浸泡在装有pH为13的碱性溶液的碱槽内250s，其中，碱性溶液包括质量浓度为1％的氢氧化钾和体积百分比为5％的LX-3233B；最后浸泡到流动的水槽中250s。
对酸洗后的TFT基板依次进行水洗涤、洗涤液洗涤、二流体喷淋、超纯水喷淋和高压喷淋，再依次对高压喷淋后的TFT基板进行冷风干燥和热风干燥。其中，洗涤液的pH值为9，二流体喷淋的压力为2kg，高压喷淋的压力为2kg。
在待镀膜的TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜。采用磁控溅射时，TFT基板的温度为70℃，镀膜室基板的运行速度为4m/min。磁控溅射的电压为340V，磁控溅射的功率为3300W，镀膜时间为60s。磁控溅射的真空度为3.0×10-2Pa。
采用氧气作为反应气体，采用氩气所为工艺气体。反应气体的流量为220ccm2，工艺气体的流量为1300ccm2。反应气体和工艺气体的纯度均为99.999％。
采用ITO靶材作为靶材，氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)的质量比为9:1。靶材与基板的距离为75mm。
制备完成后，对得到的防静电TFT基板进行参数测试。测试结果为，表面电阻450Ω/□～600Ω/□之间，膜层厚度250nm，膜透光率95.2％，色标值L＝39.2,a＝-1.9,b＝-5.1，膜层色差△E≤0.5，产品合格。
实施例4
用UV胶对待处理的TFT基板的边缘进行封胶保护，再使UV胶固化。TFT基板的厚度为1mm，将封胶的TFT基板放入UV固化机内，温度为60℃，使用紫外线照射带有UV胶的TFT基板和UV胶，照射时间为60min。
采用沾有乙酸乙酯的无尘布，在固化后的TFT基板的表面上擦拭，除去残留在固化后的TFT基板的表面上的UV胶。
对封胶后的TFT基板依次进行酸溶液处理、第一次水洗、碱性溶液处理和第二次水洗。将TFT基板放置在装有70％硫酸溶液和30％氢氟酸溶液的混合溶液(体积比330:1)的酸槽内，浸泡60min，温度为30℃。酸槽底部装有鼓泡管，鼓泡使酸洗加速、均匀，蚀刻速率为0.6μm/min；然后依次浸泡在流动的水槽中300s；浸泡在装有pH为12的碱性溶液的碱槽内300s，其中，碱性溶液包括质量浓度为0.3％的氢氧化钠和体积百分比为2.7％的BYC-5530；最后浸泡到流动的水槽中300s。
对酸洗后的TFT基板依次进行水洗涤、洗涤液洗涤、二流体喷淋、超纯水喷淋和高压喷淋，再依次对高压喷淋后的TFT基板进行冷风干燥和热风干燥。其中，洗涤液的pH值为11，二流体喷淋的压力为1.5kg，高压喷淋的压力为1.5kg。
在待镀膜的TFT基板上磁控溅射沉积形成ITO薄膜。采用磁控溅射时，TFT基板的温度为80℃，镀膜室基板的运行速度为0.8m/min。磁控溅射的电压为380V，磁控溅射的功率为3600W，镀膜时间为40s。磁控溅射的真空度为2.5×10-1Pa。
采用氧气作为反应气体，采用氩气所为工艺气体。反应气体的流量为200ccm2，工艺气体的流量为1200ccm2。反应气体和工艺气体的纯度均为99.999％。
采用ITO靶材作为靶材，氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)的质量比为9:1。靶材与基板的距离为80mm。
制备完成后，对得到的防静电TFT基板进行参数测试。测试结果为，表面电阻750Ω/□～850Ω/□之间，膜层厚度180nm，膜透光率96.1％，色标值L＝39.1,a＝-1.7,b＝-4.9，膜层色差△E≤0.5，产品合格。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。