1.一种具有陷光结构的量子点发光二极管器件，依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极，其特征在于，所述衬底采用具有陷光结构的BZO玻璃。
2.根据权利要求1所述的具有陷光结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述BZO玻璃包括玻璃本体和覆盖在玻璃本体表面的BZO薄膜。
3.根据权利要求2所述的具有陷光结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述BZO薄膜的厚度为800-2000nm。
4.根据权利要求2所述的具有陷光结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述BZO薄膜的方块电阻为10-60Ω/□。
5.根据权利要求2所述的具有陷光结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述BZO薄膜的雾度范围为10-50%。
6.根据权利要求1所述的具有陷光结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。
7.一种具有陷光结构的量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、采用低压化学气相沉积法在玻璃本体上制备BZO薄膜生成具有陷光结构的BZO玻璃衬底；
B、采用真空蒸镀方法在BZO玻璃衬底表面制备底电极；
C、在底电极表面依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及电子注入层；
D、在电子注入层表面真空蒸镀顶电极。
8.根据权利要求7所述的具有陷光结构的量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：
A1、将清洗干净的玻璃本体放入反应室并加热至150-200oC；
A2、将气态的水和乙二基锌按流量比为0.5-5的比例、以及乙二基锌和硼烷按流量比为2-6的比例通入反应室，进行沉积反应；
A3、沉积完成后，将所述玻璃取出反应室冰冷却，得到BZO玻璃衬底。
9.根据权利要求8所述的具有陷光结构的量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述反应室内的气压为2×10-3 -8×10-3mbar。
10.根据权利要求8所述的具有陷光结构的量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，沉积反应的时间为250-350s。