技术总结
本发明公开一种具有陷光结构的量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极，其特征在于，所述衬底采用具有陷光结构的BZO玻璃。本发明采用自身具有陷光结构的BZO玻璃作为衬底，使得量子点发光层发出的光在BZO玻璃的陷光作用下，有效的减少了光在器件内部传播的损失，从而提升器件的出光效率，降低生产成本，并且相对于传统的ITO玻璃衬底，本发明提供的BZO玻璃衬底成本更低、适合大批量大面积生产，且环保无污染。
技术研发人员：张东华;向超宇;李乐;辛征航;张滔
受保护的技术使用者：TCL集团股份有限公司
文档号码：201611000126
技术研发日：2016.11.14
技术公布日：2017.02.22