技术特征：
技术总结
本发明涉及一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED及其制造方法，属于光电子技术领域，结构由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、P型(Alx2Ga1‑x2)y2In1‑y2P第一窗口层和P型GaP第二窗口层。通过在常规黄绿光LED结构中利用MOCVD设备增加一层晶格匹配的高质量窗口层，形成改良的双层窗口层，既能避免第一窗口层的氧化，又能提升原普通结果一层窗口层的质量不高的问题，起到增加电流扩展的良率及光学窗口层的作用，提高了器件的可靠性、稳定性。
技术研发人员：李志虎;张新;于军;王成新;徐现刚
受保护的技术使用者：山东浪潮华光光电子股份有限公司
技术研发日：2016.11.22
技术公布日：2018.05.29