1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底具有AlGaN层，所述AlGaN层位于GaN层上，用于在所述AlGaN层和所述GaN层之间的界面处形成二维电子气；以及
多个接触，
其中所述接触中的至少一个接触包括：
欧姆接触部分，所述欧姆接触部分位于所述衬底的主表面上，其中所述欧姆接触部分包括第一导电材料；以及
沟槽，所述沟槽从所述主表面向下延伸到所述衬底中，其中所述沟槽穿过所述AlGaN层且到所述GaN层中，其中所述沟槽至少部分地用第二导电材料填充，并且其中所述第二导电材料是与所述第一导电材料不同的导电材料。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述接触中的所述至少一个接触包括与所述沟槽对齐的中心部分，其中所述中心部分至少部分地用所述第二导电材料填充，并且其中当从所述主表面上方查看时，所述中心部分大体上由所述欧姆接触部分围绕。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，包括至少部分地填充所述接触的所述中心部分和所述沟槽的所述第二导电材料的单个连续部分。
4.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底还包括GaN顶盖层，所述GaN顶盖层位于所述AlGaN层上，并且其中所述接触中的所述至少一个接触的所述沟槽穿过所述GaN顶盖层。
5.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述装置包括高电子迁移率晶体管(HEMT)，所述高电子迁移率晶体管(HEMT)包括位于源极接触和漏极接触之间的栅极接触，并且其中所述接触中的所述至少一个接触是所述HEMT的漏极接触。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，包括位于所述漏极和所述栅极之间的至少一个岛，其中每个岛包括从所述主表面向下延伸到所述衬底中的沟槽，其中所述沟槽穿过所述AlGaN层且到所述GaN层中，其中所述沟槽至少部分地用所述第二导电材料填充。
7.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底，所述衬底具有AlGaN层，所述AlGaN层位于GaN层上，用于在所述AlGaN层和所述GaN层之间的界面处形成二维电子气；以及
形成所述装置的多个接触，
其中形成所述接触中的至少一个接触包括：
将第一导电材料沉积在所述衬底的主表面上以形成欧姆接触部分；
形成从所述主表面向下延伸到所述衬底中的沟槽，其中所述沟槽穿过所述AlGaN层且到所述GaN层中；以及
至少部分地用第二导电材料填充所述沟槽，
其中所述第二导电材料是与所述第一导电材料不同的导电材料。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，包括：
去除所述至少一个所述接触的所述第一导电材料的至少一部分以在所述欧姆接触部分中形成开口，其中所述开口暴露所述主表面的一部分；
在由所述欧姆接触部分中的所述开口暴露的所述主表面的所述部分中形成所述沟槽；以及
至少部分地用所述第二导电材料填充所述沟槽和所述欧姆接触部分中的所述开口。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，被去除以在所述欧姆接触部分中形成所述开口的所述至少一个所述接触的所述第一导电材料的所述部分包括所述接触的中心部分，并且其中在至少部分地用所述第二导电材料填充所述沟槽和所述欧姆接触部分中的所述开口之后，当从所述主表面上方查看时，所述中心部分大体上由所述欧姆接触部分围绕。
10.根据权利要求8或权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体装置包括高电子迁移率晶体管(HEMT)，所述方法包括形成位于所述HEMT的源极接触和漏极接触之间的所述HEMT的栅极接触。