技术总结
本公开内容提出一种半导体装置和制作半导体装置的方法。该装置包括衬底，该衬底具有AlGaN层，该AlGaN层位于GaN层上，用于在AlGaN层和GaN层之间的界面处形成二维电子气。该装置还包括多个接触。接触中的至少一个接触包括位于衬底的主表面上的欧姆接触部分。欧姆接触部分包括第一导电材料。接触中的至少一个接触还包括沟槽，该沟槽从主表面向下延伸到衬底中。沟槽穿过AlGaN层且到GaN层中。沟槽至少部分地用第二导电材料填充。第二导电材料是与第一导电材料不同的导电材料。
技术研发人员：雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯;约翰内斯·J·T·M·唐克尔;简·雄斯基;杰伦·安东·克龙
受保护的技术使用者：安世有限公司
文档号码：201611041068
技术研发日：2016.11.22
技术公布日：2017.06.09