技术总结
本发明公开了一种具有垂直PN异质结太阳能电池结构，包括单晶硅片，在所述单晶硅片的一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P+掺杂层，在所述负电极的内侧设有N+掺杂层，在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构，所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层，在所述P+掺杂层和N+掺杂层的外侧设有钝化层，所述P+掺杂层和N+掺杂层纵向设置在单晶硅片上，且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行。
技术研发人员：郭群超;王珺;朱红英
受保护的技术使用者：上海电机学院
文档号码：201611072891
技术研发日：2016.11.29
技术公布日：2017.02.22