1.InP阻变存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将单晶InP片作为靶材装入脉冲激光设备腔体内；
(2)将表面沉积有电极的基片装入脉冲激光设备腔体内；
(3)将脉冲激光设备腔体内抽真空，真空度为5×10-8Pa；
(4)将基片加热至350～450℃；
(5)利用脉冲激光沉积的方法在基片上沉积InP薄膜；所述脉冲激光沉积参数为：靶材与基片的间距为6～8cm，激光的工作频率1～5Hz，能力密度为1～3J/cm2；所得InP薄膜的厚度为10～65nm；
(6)将沉积了InP薄膜的基片真空条件下进行快速热退火处理，得到InP阻变存储材料。
2.根据权利要求1所述的InP阻变存储材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的基片为绝缘无机材料。
3.根据权利要求1所述的InP阻变存储材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中快速热退火工艺为：退火温度600～800℃，退火时间5～120秒。
4.一种权利要求1所述的方法制备得到的InP阻变存储材料在阻变存储器中的应用，其特征在于：InP阻变存储材料用于制备InP基阻变存储器件，制备步骤为：将InP阻变存储材料表面覆盖硬掩膜版，硬掩膜版厚度为100nm，然后放入磁控溅射设备中，沉积金属电极，去除掩膜版，获得InP基阻变存储器件。