技术总结
本发明公开了一种InP阻变存储材料的制备方法和应用，属于微电子制造技术领域。所述制备方法包括以下步骤：1)将单晶InP片作为靶材装入脉冲激光设备腔体内；2)将表面沉积有电极的基片装入脉冲激光设备腔体内；3)将脉冲激光设备腔体内抽真空；4)加热基片；5)利用脉冲激光沉积的方法在基片上沉积InP薄膜；6)将沉积了InP薄膜的基片在真空条件下600～800℃退火，冷却后得到InP阻变存储材料。InP阻变存储材料具有良好存储特性，基于该存储材料制备的阻变存储器具有存储窗口宽，数据保持时间长，耐久性高的特点。
技术研发人员：赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民;张国成
受保护的技术使用者：北京有色金属研究总院
技术研发日：2016.12.02
技术公布日：2019.08.20