技术总结
本发明涉及光电技术领域，尤其是一种晶体硅绒面的制备方法，该方法利用光刻胶作为掩膜材料，对光刻胶曝光显影，形成特定图形，然后使用酸或者碱溶液对硅片进行腐蚀，在硅片表面形成坑状绒面，用这种方法制作的晶体硅绒面坑的形状和排列方式可以精确控制，这种绒面坑的陷光效果好，能有效降低光的反射率，从而提高晶体硅电池的转换效率。
技术研发人员：顾生刚;胡盛华;李剑;赵辰
受保护的技术使用者：北京市合众创能光电技术有限公司
文档号码：201611192114
技术研发日：2016.12.21
技术公布日：2017.03.22