1.一种结势垒肖特基二极管，包括：第一导电类型衬底，形成在所述第一导电类型衬底上的第一导电类型半导体层，形成在所述第一导电类型半导体层上并且与其形成肖特基接触的阳极金属层，形成在所述阳极金属层的边缘至外侧的第一导电类型半导体层上的绝缘层，形成在所述绝缘层与阳极金属层下方的第二导电类型的终端保护区，形成在所述终端保护区内侧的第一导电类型半导体层上表层中的多个具有一定间隔的第二导电类型半导体区，其特征在于：所述第一导电类型半导体层上表层中形成多个具有一定间隔的沟槽，所述终端保护区与第二导电类型半导体区形成于所述沟槽下方，所述沟槽侧壁形成有绝缘侧壁，所述沟槽内填充导电材料。
2.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述导电材料为导电多晶硅。
3.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述终端保护区上方的沟槽深度大于第二导电类型半导体区上方的沟槽深度。
4.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述终端保护区掺杂阱深大于第二导电类型半导体区掺杂阱深。
5.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述越靠近终端保护区，沟槽间的距离越小。
6.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述终端保护区上方的沟槽槽口外侧的第一导电类型半导体层与阳极金属层间形成绝缘介质区。
7.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述第二导电类型半导体区上方的沟槽槽口外侧的第一导电类型半导体层与阳极金属层间形成绝缘介质区。
8.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述终端保护区包括与沟槽内的导电材料接触的高掺杂区和包围高掺杂区的低掺杂区。
9.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述第二导电类型半导体区包括与沟槽内的导电材料接触的高掺杂区和包围高掺杂区的低掺杂区。
10.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。