技术总结
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种结势垒肖特基结构的二极管，包括：第一导电类型衬底，第一导电类型半导体层，阳极金属层，绝缘层，终端保护区，第二导电类型半导体区，所述第一导电类型半导体层上表层中形成多个具有一定间隔的沟槽，所述终端保护区与第二导电类型半导体区形成于所述沟槽下方，所述沟槽侧壁形成有绝缘侧壁，所述沟槽内填充导电材料，本发明有效提高结势垒肖特基二极管PN结对二极管耐压性能的改善作用。
技术研发人员：李风浪
受保护的技术使用者：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
文档号码：201611225372
技术研发日：2016.12.27
技术公布日：2017.05.31