技术特征：
技术总结
本发明公开一种半导体装置及其制造方法。在本发明实施例中，使用一拓扑绝缘体形成通道和源/漏极区两者，其中上述通道具有一第一厚度，使上述拓扑绝缘体具有一半导体材料的性质。并且上述源/漏极区具有一第二厚度，使上述拓扑绝缘体具有一导电材料的性质。本发明可以通过调整半导体装置材料的厚度，进而改变半导体装置材料的导电性质。
技术研发人员：樊圣亭;陈品翔;刘致为;刘继文
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为
技术研发日：2016.12.30
技术公布日：2017.08.11