技术总结
本实用新型提供一种鳍式场效应晶体管器件测试结构，所述鳍式场效应晶体管器件测试结构至少包括：衬底；位于所述衬底上的鳍形结构；位于所述衬底上并包裹所述鳍形结构的部分的伪栅叠层，其中，所述伪栅叠层与所述鳍形结构相互垂直设置；以及位于至少一条所述伪栅叠层下并贯穿该伪栅叠层下所有所述鳍形结构的鳍切断区。本实用新型的鳍式场效应晶体管器件测试结构，具有以下有益效果：通过对FinFET器件的结构进行改进，根据不同的器件布局结构在伪栅叠层下方设置所需的鳍切断区，从而获得好的器件密度和更好的器件特性，更好地检测不同器件结构相应的特性。
技术研发人员：谢欣云
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201620502354
技术研发日：2016.05.27
技术公布日：2016.12.07