一种干湿混合等离子刻蚀装置的制作方法

本实用新型涉及刻蚀技术领域，具体为一种干湿混合等离子刻蚀装置。

背景技术：

等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或刻蚀表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式，这种设计的是富有弹性的，用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法：反应性等离子体(RIE)，顺流等离子体(downstream)，直接等离子体(direction plasma)。

湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。简单来说，就是中学化学课中化学溶液腐蚀的概念，它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。由于所有的半导体湿法刻蚀都具有各向同性，所以无论是氧化层还是金属层的刻蚀，横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度。这样一来，上层光刻胶的图案与下层材料上被刻蚀出的图案就会存在一定的偏差，也就无法高质量地完成图形转移和复制的工作，因此随着特征尺寸的减小，在图形转移过程中基本不再使用。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种干湿混合等离子刻蚀装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种干湿混合等离子刻蚀装置，包括机体和活动门，所述活动门铰接在机体左侧壁，所述机体上表面安装有刻蚀剂储存箱，所述刻蚀剂储存箱通过管道连接有喷淋管，且喷淋管位于机体内部，所述喷淋管表面设有喷淋头，所述机体右侧壁设有射频匹配装置，所述射频匹配装置通过导线连接有等离子板，且等离子板位于机体内部，所述等离子板表面设有屏蔽罩，所述机体内部设有搁板，所述搁板上表面安装有盛料托盘，所述盛料托盘内腔底部设有红外发热二极管，所述红外发热二极管上表面设有导热层，所述导热层的上表面设有防水层，所述搁板下表面连接有真空管，且真空管的一端连接有真空泵，所述真空泵位于机体内腔底部，所述机体内部右侧壁设有回流管，所述回流管的一端连接有刻蚀剂回流箱，且刻蚀剂回流箱位于真空泵右侧，所述回流管的表面安装有截止阀，所述机体右侧壁安装有红外加热装置，且红外加热装置电性连接于红外发热二极管，所述机体右侧壁还安装有分级控制器，且分级控制器电性连接于射频匹配装置和红外加热装置。

优选的，所述喷淋嘴不少于3组。

优选的，所述分级控制器表面设有电容感应式触摸屏。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本干湿混合等离子刻蚀装置，利用喷淋头将刻蚀剂喷洒到硅片表面，增加光程，减少光的反射，再通过等离子板与硅片发生物理或化学反应，从而去掉暴露的表面材料，干湿刻蚀相结合，能够使两者的优缺点相结合，对硅片表面更好的刻蚀。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型盛料托盘结构示意图。

图中：1机体、2活动门、3刻蚀剂储存箱、4喷淋管、5喷淋头、6射频匹配装置、7等离子板、8屏蔽罩、9盛料托盘、91红外发热二极管、92导热层、93防水层、10搁板、11真空管、12真空泵、13回流管、14刻蚀剂回流箱、15红外加热装置、16截止阀、17分级控制器。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种干湿混合等离子刻蚀装置，包括机体1和活动门2，所述活动门2铰接在机体1左侧壁，所述机体1上表面安装有刻蚀剂储存箱3，所述刻蚀剂储存箱3通过管道连接有喷淋管4，且喷淋管4位于机体1内部，所述喷淋管4表面设有喷淋头5，所述机体1右侧壁设有射频匹配装置6，所述射频匹配装置6通过导线连接有等离子板7，且等离子板7位于机体1内部，所述等离子板7表面设有屏蔽罩8，所述机体1内部设有搁板10，所述搁板10上表面安装有盛料托盘9，所述盛料托盘9内腔底部设有红外发热二极管91，所述红外发热二极管91上表面设有导热层92，所述导热层92的上表面设有防水层93，所述搁板10下表面连接有真空管11，且真空管11的一端连接有真空泵12，所述真空泵12位于机体1内腔底部，所述机体1内部右侧壁设有回流管13，所述回流管13的一端连接有刻蚀剂回流箱14，且刻蚀剂回流箱14位于真空泵12右侧，所述回流管13的表面安装有截止阀16，所述机体1右侧壁安装有红外加热装置15，且红外加热装置15电性连接于红外发热二极管91，所述机体1右侧壁还安装有分级控制器17，且分级控制器17电性连接于射频匹配装置6和红外加热装置15。所述喷淋嘴5不少于3组。所述分级控制器17表面设有电容感应式触摸屏。

工作原理：利用喷淋头5将刻蚀剂均匀的喷洒到硅片的表面，进行化学反应，反应完成后打开截止阀16，刻蚀剂通过回流管13回流到刻蚀剂回流箱14中，打开红外加热装置15，对盛料托盘9中的硅片表面的刻蚀剂残留进行烘干，真空泵12将反应室抽成真空，这时通过分级控制器17打开射频匹配装置6，通过等离子板7与硅片发生物理或化学反应，去掉暴露在硅片表面材料。该装置结构简单，设计合理，且实用性强。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。