基板处理系统的制作方法

文档序号:11180460阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基板处理系统,其特征在于,包括:

研磨部,其对基板进行化学机械研磨工艺;

清洗部,其对完成研磨工艺的所述基板进行清洗;

基板移送部,其在所述研磨部对所述基板进行研磨之前移送至所述清洗部,

所述基板在进行研磨工艺之前,在所述清洗部首先进行准备清洗之后进入至所述研磨部。

2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,

所述清洗部包括个别地进行对所述基板的清洗的多个清洗单元,

所述基板在进行研磨工艺之前,沿着经过所述多个清洗单元中至少任意一个的准备清洗路径而得到所述准备清洗。

3.根据权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,

包括移送单元,所述移送单元设置于所述清洗部,并且从所述多个清洗单元中任意一个将所述基板移送至所述多个清洗单元中另外的一个。

4.根据权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,

所述多个清洗单元中预先设定的至少任意一个在所述准备清洗路径可排除。

5.根据权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,

所述基板移送部将所述基板移送至在所述多个清洗单元中与所述基板移送部最邻近的任意一个。

6.根据权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,

所述多个清洗单元沿着上下方向以层积的形式进行配置。

7.根据权利要求6所述的基板处理系统,其特征在于,所述清洗单元包括多个接触式清洗单元和多个非接触式清洗单元中至少任意一个,

所述多个接触式清洗单元沿着上下方向以层积的形式进行配置,并以物理的形式接触于所述基板的表面,且个别地进行对所述基板的清洗;

所述多个非接触式清洗单元沿着上下方向以层积的形式进行配置,并以物理的形式非接触于所述基板的表面,且分别进行对所述基板的清洗。

8.根据权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,

所述接触式清洗单元包括清洗刷,所述清洗刷以可旋转的形式设置,并且接触于所述基板的表面。

9.根据权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,

还包括化学制品供给部,所述化学制品供给部在所述清洗刷接触于所述基板期间将化学制品供给于所述清洗刷与所述基板的接触部位。

10.根据权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,

所述非接触式清洗单元包括清洗流体喷射部,所述清洗流体喷射部设置于所述清洗部,并且将清洗流体喷射至所述基板的表面。

11.根据权利要求10所述的基板处理系统,其特征在于,

所述清洗流体喷射部包括将清洗液喷射至所述基板的表面的清洗液喷射部。

12.根据权利要求10所述的基板处理系统,其特征在于,

所述清洗流体喷射部包括将蒸汽喷射至所述基板的表面的蒸汽喷射部。

13.根据权利要求10所述的基板处理系统,其特征在于,

所述清洗流体喷射部包括将相互不同的异种流体喷射至所述基板的表面的异种流体喷射部。

14.根据权利要求13所述的基板处理系统,其特征在于,所述异种流体喷射部包括:

供给第一流体的第一流体供给部;

供给与所述第一流体不同的第二流体的第二流体供给部,

所述第一流体以及所述第二流体以混合或分离的状态喷射至所述基板的表面。

15.根据权利要求14所述的基板处理系统,其特征在于,

所述第一流体是气态流体及液态流体中任意一个,并且所述第二流体是气态流体及液态流体中任意一个。

16.根据权利要求13所述的基板处理系统,其特征在于,所述异种流体喷射部包括:

干冰供给部,其供给干冰粒子;

流体喷射部,其将流体喷射至所述基板的表面,

所述干冰粒子及所述流体以相互混合的状态喷射至所述基板的表面。

17.根据权利要求16所述的基板处理系统,其特征在于,

所述流体喷射部喷射气态流体及液态流体中至少任意一个。

18.根据权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,

所述非接触式清洗单元包括将异丙醇喷射至所述基板的表面的异丙醇喷射部。

19.根据权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,

所述非接触式清洗单元包括将振动能量供给于所述基板的表面的兆声波产生器。

20.根据权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,所述非接触式清洗单元包括:

支架,其以可旋转的形式进行设置,并且在上面以张为单位放置有所述基板;

回收容器,其形成为包裹所述支架的周围,并且对从所述基板的表面飞散的处理流体进行回收。

21.根据权利要求20所述的基板处理系统,其特征在于,

所述支架以可沿着上下方向进行移动的形式进行设置,

在所述回收容器的内壁形成有多个回收杯,所述多个回收杯形成有多个回收导管,所述多个回收导管用于沿着上下方向在相互不同的高度对相互不同的所述处理流体进行回收。

22.根据权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,

完成研磨工艺的所述基板在所述清洗部沿着经过所述多个清洗单元中至少任意一个的清洗路径进行清洗。

23.根据权利要求22所述的基板处理系统,其特征在于,

所述多个清洗单元中预先设定的至少任意一个可在所述清洗路径可除外。

24.根据权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,

还包括将所述清洗单元的清洗空间与其以外的空间以独立的形式进行切断的切断单元,

所述切断单元包括:

壳体,其形成为包裹所述基板的周围,并且形成有独立的清洗处理空间;

开闭部件,其对所述壳体的出入口进行开闭。

25.根据权利要求24所述的基板处理系统,其特征在于,

还包括对所述壳体与所述开闭部件之间进行密封的密封部件。

26.根据权利要求25所述的基板处理系统,其特征在于,所述密封部件包括:

上部密封部;

弯曲密封部,其弯曲于所述上部密封部的一端;

下部密封部,其弯曲于所述弯曲密封部的一端,并且配置于与所述上部密封部不同的高度,

所述上部密封部、所述弯曲密封部、所述下部密封部紧贴于段差部,所述段差部形成于所述壳体与所述密封部件的相互面对的面。

27.根据权利要求1至9或11或12或14至26中任意一项所述的基板处理系统,其特征在于,

还包括预备清洗区域,所述预备清洗区域设置于所述研磨部,并且对完成研磨工艺的所述基板进行预备清洗;

所述基板在所述预备清洗区域进行所述预备清洗之后,在所述清洗部再次进行清洗。

28.根据权利要求27所述的基板处理系统,其特征在于,

在所述预备清洗区域对完成研磨工艺的所述基板进行卸载,并且对卸载的所述基板进行所述预备清洗。

29.根据权利要求27所述的基板处理系统,其特征在于,

包括清洗流体喷射部,所述清洗流体喷射部设置于所述预备清洗区域,并且将清洗流体喷射至所述基板的表面。

30.根据权利要求29所述的基板处理系统,其特征在于,

所述清洗流体喷射部包括将清洗液喷射至所述基板的表面的清洗液喷射部。

31.根据权利要求29所述的基板处理系统,其特征在于,

所述清洗流体喷射部包括将蒸汽喷射至所述基板的表面的蒸汽喷射部。

32.根据权利要求29所述的基板处理系统,其特征在于,

所述清洗流体喷射部包括将相互不同的异种流体喷射至所述基板的表面的异种流体喷射部。

33.根据权利要求32所述的基板处理系统,其特征在于,所述异种流体喷射部包括:

第一流体供给部,其供给第一流体;

第二流体供给部,其供给与所述第一流体不同的第二流体,

并且所述第一流体以及所述第二流体以混合或分离的状态喷射至所述基板的表面。

34.根据权利要求32所述的基板处理系统,其特征在于,所述异种流体喷射部包括:

干冰供给部,其供给干冰粒子;

流体喷射部,其将流体喷射至所述基板的表面,

所述干冰粒子及所述流体以相互混合的状态喷射至所述基板的表面。

35.根据权利要求29所述的基板处理系统,其特征在于,

包括旋转臂,所述旋转臂以可旋转的形式设置于在所述研磨部配置于所述预备清洗区域的第一位置与在所述研磨部配置于所述预备清洗区域的外侧的第二位置,

所述清洗流体喷射部安装于所述旋转臂。

36.根据权利要求27所述的基板处理系统,其特征在于,

在所述预备清洗区域对所述基板的研磨面与非研磨面中至少任意一个进行所述预备清洗。

37.根据权利要求27所述的基板处理系统,其特征在于,

包括兆声波产生器,所述兆声波产生器设置于所述预备清洗区域,并且将振动能量供给于所述基板的表面。

38.根据权利要求27所述的基板处理系统,其特征在于,

包括清洗刷,所述清洗刷设置于所述预备清洗区域,并且以旋转的形式接触于基板的表面。

39.根据权利要求27所述的基板处理系统,其特征在于,

包括基板放置部,所述基板放置部设置于所述预备清洗区域,并且放置有所述基板,

所述基板在卸载至所述基板放置部的状态下进行所述预备清洗。

40.根据权利要求1至26中任意一项所述的基板处理系统,其特征在于,

还包括污染度测定部,所述污染度测定部设置于所述清洗部,并且在所述清洗部对进行所述准备清洗的所述基板的污染度进行测定。

41.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,所述研磨部包括:

第一研磨区域,其配置有多个第一研磨平板;

第二研磨区域,其面向所述第一研磨区域并配置有多个第二研磨平板;

基板移送线路,其配置于所述第一研磨区域与所述第二研磨区域之间,并对加载至设置于所述研磨部的加载区域的所述基板进行移送,

加载至所述加载区域的所述基板沿着所述基板移送线路进行移送并且在所述第一研磨区域或所述第二研磨区域进行研磨之后,卸载至预备清洗区域。

42.根据权利要求41所述的基板处理系统,其特征在于,

包括反转单元,所述反转单元设置于所述预备清洗区域,并且在所述预备清洗区域对所述基板进行收取并反转。

43.根据权利要求42所述的基板处理系统,其特征在于,

完成研磨工艺的所述基板通过载体头来移送至所述预备清洗区域之后,在所述预备清洗区域以通过所述反转单元来进行反转的状态进行所述预备清洗。

44.根据权利要求43所述的基板处理系统,其特征在于,

还包括切断单元,所述切断单元在所述预备清洗区域进行所述预备清洗期间,将所述预备清洗区域的预备清洗处理空间与其以外的空间进行切断。

45.根据权利要求44所述的基板处理系统,其特征在于,所述切断单元包括:

壳体,其形成为包裹所述基板的周围,并且形成有独立的所述预备清洗处理空间;

开闭部件,其对所述壳体的出入口进行开闭。

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