技术总结
一种三维集成电路(3D IC)，包括：上器件层，具有转移器件互连层，和与所述转移器件互连层相对的一侧上的分离表面；粘结氧化层；以及下器件层，包括下器件互连层，所述下器件互连层粘结在所述上器件层上并且与所述转移器件互连层连通。本申请提供了异质且非均匀层的三维堆叠和互连，例如，完全制成的集成电路。包括用于显著减小层间分离并且增加可用的层间连接密度，从而得到增加的信号带宽和系统功能。
技术研发人员：E·F·希欧多尔;I·C·迈克尔
受保护的技术使用者：硅源公司
文档号码：201621110405
技术研发日：2016.01.11
技术公布日：2017.09.22