透明导电配线及透明导电配线的制造方法与流程

本发明涉及一种例如用于显示器或触控面板等的透明导电配线及透明导电配线的制造方法。

本申请主张基于2015年2月27日于日本申请的专利申请2015-37950号、2015年11月5日于日本申请的专利申请2015-217683号及2016年2月25日于日本申请的专利申请2016-34768号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术：

例如，在液晶显示器、有机EL显示器、触控面板等中，作为配线，例如，如专利文献1～3所示，应用了设为透明导电氧化物膜与金属膜的层叠结构的透明导电配线。

该透明导电配线中，要求可见光区域的光的透射率(以下，称为视觉透射率)较高且电阻较低。

在此，在透明导电氧化物膜与金属膜的层叠膜上形成配线图案而设为透明导电配线时，如专利文献3～5所示，一般对上述层叠膜进行蚀刻处理。

在这些专利文献3～5中，作为对透明导电氧化物膜与金属膜的层叠膜进行蚀刻的方式，提出有使用透明导电氧化物膜用蚀刻液和金属膜用蚀刻液以两个阶段进行蚀刻的方法或使用特定的组成的蚀刻液对透明导电氧化物膜和金属膜一并进行蚀刻的方法。

专利文献

专利文献1：日本特开2006-216266号公报

专利文献2：日本特开2012-054006号公报

专利文献3：日本特开2008-080743号公报

专利文献4：日本特开2007-007982号公报

专利文献5：日本特开2009-206462号公报

然而，近年来，透明导电配线要求进一步提高视觉透射率，因此需要比以往更薄地形成金属膜。

在此，将金属膜的膜厚设为较薄时，在上述以往的蚀刻方法中存在金属膜比透明导电氧化物膜优先被蚀刻而金属膜的过蚀刻量变大的问题。

尤其，近年来，由于配线的微细化而配线的宽度变小，因此若金属膜的过蚀刻量大则有可能无法充分确保导电性。

技术实现要素：

本发明是鉴于前述情况而完成的，其目的在于提供一种透明导电配线及该透明导电配线的制造方法，该透明导电配线具有较高的视觉透射率，并且抑制金属膜的过蚀刻量，充分确保了导电性。

为了解决上述问题，本发明的透明导电配线具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜及层叠于该Ag膜上的透明导电氧化物膜，并通过蚀刻处理形成有配线图案，所述透明导电配线的特征在于，所述Ag膜的膜厚为15nm以下，所述Ag膜相对于所述透明导电氧化物膜的过蚀刻量为1μm以下。

根据本发明的透明导电配线，所述Ag膜的膜厚为15nm以下，因此视觉透射率优异。

并且，在本发明的透明导电配线中，将所述Ag膜的过蚀刻量抑制为1μm以下，因此即使在配线宽度较窄的情况下，也能够确保金属膜的宽度并可靠地确保导电性。

在此，在本发明的透明导电配线中，优选所述Ag膜由如下组成的Ag合金构成：以合计为0.05原子％以上且10.0原子％以下的范围包含Sn、In、Mg、Ti中的任意一种或两种以上的元素来作为添加元素，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。

根据该构成的透明导电配线，Ag膜由如下Ag合金构成：以合计为0.05原子％以上且10.0原子％以下的范围包含Sn、In、Mg、Ti中的任意一种或两种以上的元素来作为添加元素，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，因此能够提高Ag膜相对于基板及氧化物膜的润湿性。由此，即使在将成膜于基板上或氧化物膜上的Ag膜的膜厚设为15nm以下、比较薄的情况下，也能够抑制膜的凝聚，并能够降低电阻且提高视觉透射率。

并且，本发明的透明导电配线中，可以由如下组成的Ag合金构成：还包含0.01原子％以上的Sb及0.1原子％以上的Cu中的任意一种或两种来作为添加元素，并且所有添加元素的合计为10.0原子％以下，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。

根据该构成的透明导电配线，由如下组成的Ag合金构成：还包含0.01原子％以上的Sb及0.1原子％以上的Cu中的任意一种或两种来作为添加元素，并且所有添加元素的合计为10.0原子％以下，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，因此通过添加Sb及Cu，能够进一步抑制膜的凝聚，并能够降低电阻且提高视觉透射率。

而且，在本发明的透明导电配线中，优选所述透明导电氧化物膜为非晶膜。

根据该构成的透明导电配线，透明导电氧化物膜为非晶膜，因此能够通过后述的草酸蚀刻液可靠地进行蚀刻，并且能够减少Ag膜的过蚀刻量。

本发明的透明导电配线的制造方法中，所述透明导电配线具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜及层叠于该Ag膜上的透明导电氧化物膜，且形成有配线图案，所述透明导电配线的制造方法的特征在于，将所述Ag膜的膜厚设为15nm以下，且具备对具有所述Ag膜和所述透明导电氧化物膜的层叠膜进行蚀刻处理而形成配线图案的蚀刻处理工序，该蚀刻处理工序中，使用草酸蚀刻液对所述透明导电氧化物膜及所述Ag膜一并进行溶解。

根据本发明的透明导电配线的制造方法，在对具有所述Ag膜和所述透明导电氧化物膜的层叠膜进行蚀刻处理而形成配线图案的蚀刻处理工序中，使用草酸蚀刻液对所述透明导电氧化物膜及所述Ag膜一并进行溶解。通常，草酸蚀刻液难以进行Ag膜的蚀刻，但本发明中，将所述Ag膜的膜厚形成为15nm以下、比较薄，因此可通过草酸蚀刻液去除Ag膜。并且，该草酸蚀刻液中，与透明导电氧化物膜相比，Ag膜的蚀刻性较差，因此能够抑制Ag膜的过蚀刻。

在此，在本发明的透明导电配线的制造方法中，优选所述草酸蚀刻液为草酸浓度在3质量％以上且7质量％以下的范围内的草酸水溶液。

根据该构成的透明导电配线的制造方法，作为所述草酸蚀刻液，使用草酸浓度在3质量％以上且7质量％以下的范围内的草酸水溶液，因此能够对Ag膜及透明导电氧化物膜一并进行蚀刻，并且能够可靠地降低Ag膜的过蚀刻量。

根据本发明，能够提供一种具有较高的视觉透射率，并且抑制金属膜的过蚀刻量，充分地确保了导电性的透明导电配线及该透明导电配线的制造方法。

附图说明

图1是本发明的实施方式的透明导电配线的局部放大剖视图。

图2是本发明的实施方式的透明导电配线的蚀刻端面的放大剖视图。

图3是表示进行透明导电氧化物膜的X射线衍射测定的例子的图。

图4是表示本发明的实施方式的透明导电配线的制造方法的流程图。

图5是本发明的另一实施方式的透明导电配线的局部放大剖视图。

具体实施方式

以下，参考附图对本发明的实施方式的透明导电配线及透明导电配线的制造方法进行说明。

本实施方式中的透明导电配线10使用于各种显示器及触控面板。

如图1所示，本实施方式的透明导电配线10例如具备Ag膜11和透明导电氧化物膜12，所述Ag膜11成膜于基板30的一面上，所述透明导电氧化物膜12以重叠的方式成膜于该Ag膜11上。另外，作为基板30，可以使用无碱玻璃、硼硅酸玻璃等的玻璃基板或PET薄膜等树脂薄膜。

该透明导电配线10通过对具有Ag膜11和透明导电氧化物膜12的层叠膜进行蚀刻处理来形成配线图案。

并且，该透明导电配线10中，Ag膜11相对于透明导电氧化物膜12的过蚀刻量L为1μm以下。具体而言，如图2所示，截面观察经蚀刻处理的配线时，透明导电氧化物膜12的端面12e与Ag膜11的端面11e的距离为1μm以下。Ag膜11相对于透明导电氧化物膜12的过蚀刻量L更优选为0.8μm以下。

并且，该透明导电配线10中，Ag膜11的膜厚ta在3nm以上且15nm以下的范围。

而且，透明导电氧化物膜12的膜厚to在5nm以上且80nm以下的范围。

另外，本实施方式中，透明导电配线10的宽度设定在10μm以上且100μm以下的范围内。

在此，Ag膜11由纯Ag或Ag合金构成。本实施方式中，Ag合金由如下组成的Ag合金构成：以合计为0.05原子％以上且10.0原子％以下的范围包含Sn、In、Mg、Ti中的任意一种或两种以上的元素来作为添加元素，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。另外，作为不可避免的杂质，例如可以举出500ppm以下的Fe、Pb、Bi、Al、Zn等。

在此，以下关于如上述那样规定Ag合金的添加元素的含量的理由进行说明。

构成Ag膜11的Ag合金中所含的Sn、In、Mg、Ti为具有提高Ag膜11的润湿性的作用效果的元素。并且，Sn、In、Mg、Ti具有进一步提高Ag膜11与透明导电氧化物膜12的粘附性的作用效果。

在此，在Sn、In、Mg、Ti中的任意一种或两种以上的元素合计小于0.05原子％的情况下，有可能无法充分地发挥上述作用效果。另一方面，Sn、In、Mg、Ti为大幅提升电阻的元素，因此若Sn、In、Mg、Ti中的任意一种或两种以上的元素合计超过10.0原子％则有可能电阻变高而使导电性下降。

根据这种理由，本实施方式中，将作为添加元素的Sn、In、Mg、Ti的含量规定在合计为0.05原子％以上且10.0原子％以下的范围内。Sn、In、Mg、Ti的含量更优选为0.1原子％以上且5.0原子％以下的范围。

另外，构成Ag膜11的Ag合金中，可以进一步含有Sb及Cu来作为添加元素。

Sb、Cu为具有如下作用效果的元素，即无需大幅降低视觉透射率且无需大幅提升电阻即可抑制Ag膜11的Ag凝聚并进一步提高耐环境性。在此，在Sb小于0.01原子％，Cu小于0.1原子％的情况下，有可能无法充分地发挥上述的作用效果。根据这种理由，本实施方式中，添加Sb时将Sb的含量设定为0.01原子％以上，添加Cu时将Cu的含量设定为0.1原子％以上。

另一方面，Sb及Cu与Sn、In、Mg、Ti同样地为大幅提升电阻的元素。因此，本实施方式中，添加Sb及Cu时，将作为添加元素的Sn、In、Mg、Ti、Sb、Cu的含量的合计设定为10原子％以下。Sn、In、Mg、Ti、Sb、Cu的含量的合计更优选为7.0原子％以下。

构成透明导电氧化物膜12的透明导电氧化物为In-Sn氧化物(ITO)、Al-Zn氧化物(AZO)、In-Zn氧化物(IZO)、Zn-Sn氧化物(ZTO)、Zn-Sn-Al氧化物(AZTO)。

通过使用这些透明导电氧化物，能够较高地维持透明导电氧化物膜12的可见光区域中的光透射率(视觉透射率)，并且能够降低电阻。

在此，透明导电氧化物膜12优选为非晶膜。

具体而言，透明导电氧化物膜12的X射线衍射测定中，与如图3的(a)所示那样存在清楚的结晶峰的晶质膜相比，优选为如图3的(b)所示那样不存在清楚的结晶峰的非晶膜。

本实施方式中，透明导电氧化物膜12为In-Sn氧化物(ITO)的非晶膜。

并且，本实施方式的透明导电配线10中，在进行蚀刻处理之前的层叠膜的状态下，可见光区域的视觉透射率为70％以上。

并且，本实施方式的透明导电配线10中，在进行蚀刻处理之前的层叠膜的状态下，表面电阻为40Ω/sq以下。

接着，参考图4对本实施方式的透明导电配线10的制造方法进行说明。

(Ag膜成膜工序S01)

首先，利用Ag合金溅射靶在基板30上形成Ag膜11。

在此，用于形成Ag膜11时的Ag合金溅射靶，根据所成膜的Ag膜11的组成调整其组成。

本实施方式中的Ag合金溅射靶如下述那样制造。

作为原料，准备纯度99.9质量％以上的Ag及纯度99.9质量％以上的Sn、In、Mg、Ti、Sb、Cu。

接着，在熔化炉中，在高真空或惰性气体气氛下熔化Ag，并在所得到的熔液中添加规定量的Sn、In、Mg、Ti中的任意一种或两种以上、Sb、Cu中的任意一种或两种以上。之后，在真空或惰性气体气氛下进行熔化并制作上述组成的Ag合金锭。

在此，关于Ag的熔化，优选将熔化炉内部的气氛暂时设为真空之后在由Ar取代的气氛下进行，熔化之后，在Ar气氛下对Ag的熔液添加Sn、In、Mg、Ti、Sb、Cu。另外，Sn、In、Mg、Ti、Sb、Cu也可以以预先制作的母合金的形式添加。

对所得到的Ag合金锭进行冷轧之后，在大气中实施例如以600℃下保持两个小时的热处理，接着进行机械加工，由此制作规定尺寸的Ag合金溅射靶。

Ag膜成膜工序S01中，将上述的Ag合金溅射靶焊接于无氧铜制垫板，并将其安装于直流磁控溅射装置。此时，与Ag合金溅射靶对置并且隔着规定的间隔配设基板30。

接着，通过真空排气装置将直流磁控溅射装置内部进行排气至例如5×10^-5Pa以下之后，导入Ar气体并设为规定的溅射气压，接着通过直流电源对靶施加例如50W的直流溅射功率。

由此，在基板30与Ag合金溅射靶之间产生等离子体，并在基板30上形成Ag膜11。

(透明导电氧化物膜成膜工序S02)

并且，在所成膜的Ag膜11上利用由透明导电氧化物构成的溅射靶进行溅射，并在Ag膜11上形成透明导电氧化物膜12。另外，在形成ITO膜来作为透明导电氧化物膜12的情况下，可根据成膜条件选择并形成结晶质膜及非晶膜。

由此，形成层叠有Ag膜11及透明导电氧化物膜12的层叠膜。

(蚀刻处理工序S03)

接着，对上述的层叠膜进行蚀刻处理，并形成配线图案。

首先，在层叠膜上涂布抗蚀剂液并进行预烘之后，通过曝光机对配线图案形状进行曝光，并进行后烘而形成抗蚀剂膜。之后，浸渍于显影液，并去除曝光部的抗蚀剂膜。

并且，浸渍于草酸蚀刻液，对已去除抗蚀剂的部分的层叠膜一并进行蚀刻。另外，对于蚀刻方式，不限于浸渍，可以利用喷淋蚀刻等。

在此，本实施方式中，作为草酸蚀刻液，使用草酸浓度在3质量％以上且7质量％以下的范围内的草酸水溶液。并且，草酸蚀刻液的温度设定为40～60℃。在此，当草酸浓度小于3质量％时，有可能蚀刻速率变慢而无法有效地进行蚀刻处理。

另一方面，若草酸浓度超过7质量％，则有可能在液体中析出草酸。根据以上情况，本实施方式中，将草酸水溶液中的草酸浓度设定在3质量％以上且7质量％以下的范围内。

草酸水溶液中的草酸浓度更优选为3质量％以上且5质量％以下。

另外，该草酸蚀刻液中，为了抑制蚀刻残渣的产生，可以添加有机类添加剂。草酸及水(溶剂)以外的添加物的含量优选限制为4质量％以下。

(抗蚀剂剥离工序S04)

在蚀刻处理工序S03之后，浸渍于抗蚀剂剥离剂，并剥离抗蚀剂膜。

由此，制造出具有规定的配线图案的透明导电配线10。

如上构成的本实施方式的透明导电配线10中，Ag膜11相对于透明导电氧化物膜12的过蚀刻量L为1μm以下，因此即使在蚀刻处理工序S03中的配线图案形状的配线宽度较窄的情况下，也能够确保Ag膜的宽度，且能够确保导电性。

并且，Ag膜11的膜厚ta在3nm以上且15nm以下的范围内，因此视觉透射率优异，并且能够确保透明导电配线10的导电性。因此，尤其适合作为各种显示器及触控面板的配线。

并且，本实施方式中，Ag膜11由如下组成的Ag合金构成：以合计为0.05原子％以上且10.0原子％以下的范围包含Sn、In、Mg、Ti中的任意一种或两种以上的元素来作为添加元素，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。因此，Ag膜的润湿性得到提高，即使在Ag膜11的膜厚ta为15nm以下、比较薄的情况下，也能够抑制膜的凝聚。因此，能够降低透明导电配线10的电阻，并且能够提高视觉透射率。

而且，本实施方式中，构成Ag膜11的Ag合金为如下组成：除了包含上述添加元素以外，还包含0.01原子％以上的Sb及0.1原子％以上的Cu中的任意一方或两方，并且，所有添加元素的合计为10.0原子％以下，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。本实施方式中，通过添加Sb及Cu，能够进一步抑制膜的凝聚，能够进一步降低透明导电配线10的电阻，且能够进一步提高视觉透射率。

并且，在本实施方式的透明导电配线10中，实施蚀刻处理工序S03之前的层叠膜中，可见光区域的视觉透射率为70％以上，并且表面电阻为40Ω/sq以下，因此作为辨识性及导电性优异的透明导电配线10，能够应用于各种显示器、触控面板。

而且，在本实施方式中，透明导电氧化物膜12为非晶质的ITO膜，因此在蚀刻处理工序S03中，能够使用草酸蚀刻液可靠地进行蚀刻处理。因此，能够可靠地抑制Ag膜11的过蚀刻量L。

根据本实施方式的透明导电配线10的制造方法，Ag膜11的膜厚ta形成为3nm以上且15nm以下的范围内、比较薄，因此在蚀刻处理工序S03中，即使在使用草酸蚀刻液的情况下，也能够去除Ag膜11，并能够形成配线图案。

并且，在本实施方式中，作为草酸蚀刻液，使用草酸浓度在3质量％以上且7质量％以下的范围内的草酸水溶液，因此能够对Ag膜11及透明导电氧化物膜12一并进行蚀刻，并且能够可靠地降低Ag膜11的过蚀刻量L。

而且，在本实施方式中，透明导电氧化物膜12的膜厚to在5nm以上且80nm以下的范围内，因此能够确保透明导电氧化物膜12的导电性及视觉透射率。

另外，透明导电氧化物膜12的膜厚to为如下膜厚：利用各单相膜的光学常数(折射率及消光系数)，以Ag膜11和透明导电氧化物膜12这两层结构进行光学模拟，通过光学性干扰效果而可见光区域的透射率得到提高。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于此，只要在不脱离本发明的技术思想的范围内可适当进行变更。

例如，在本实施方式中，在基板30的一面依次形成有Ag膜11及透明导电氧化物膜12，但并不限于此，也可为在基板30的一面依次形成有透明导电氧化物膜12及Ag膜11的结构。

并且，例如，如图5所示，也可以为在Ag膜111的一面侧形成有透明导电氧化物膜112A且在另一面侧形成有透明导电氧化物膜112B的透明导电配线110。该情况下，能够进一步提高耐环境性。另外，透明导电氧化物膜112A与透明导电氧化物膜112B可以由相互不同的组成的透明导电氧化物构成。而且，可以将Ag膜和透明导电氧化物膜层叠为任意数量，例如四层以上。

实施例

关于对本发明的层叠膜的效果进行确认而得到的确认实验的结果进行说明。

(实施例1)

如下那样制作了表1所示的构成(透明导电氧化物膜、Ag膜、透明导电氧化物膜这三层结构)的层叠膜。

当形成Ag膜时，准备了表1所示的与Ag膜对应的组成的溅射靶。另外，将靶尺寸设为直径φ：4英寸×厚度t：6mm。

并且，透明导电氧化物膜使用了以下的透明导电氧化物溅射靶。

ITO：相对于In和Sn的总和包含10原子％的Sn的In和Sn的氧化物烧结体靶。

IZO：相对于In和Zn的总和包含30原子％的Zn的In和Zn的氧化物烧结体靶。

ZTO：相对于Zn和Sn的总和包含50原子％的Sn的Zn和Sn的氧化物烧结体靶。

AZO：相对于Zn和Al的总和包含2原子％的Al的Zn和Al的氧化物烧结体靶。

AZTO：相对于Zn、Al及Sn的总和包含2原子％的Al、10原子％的Sn的Zn、Al及Sn的氧化物烧结体靶。

另外，在表1中的透明导电氧化物膜中“晶质”为如图3的(a)所示那样通过X射线衍射测定观察到清楚的结晶峰的情况。并且，“非晶质”为如图3的(b)所示那样通过X射线衍射测定未观察到清楚的结晶峰的情况。

在此，透明导电氧化物膜的成膜条件如下。

基板：已清洗的玻璃基板(康宁公司(コーニング社)制EAGLE XG，厚度0.7mm)

使用气体：Ar+2体积％氧气

气压：0.67Pa

溅射功率：直流300W

靶和基板之间的距离：70mm

并且，Ag膜的成膜条件如下。

极限真空度：5×10^-5Pa以下

使用气体：Ar

气压：0.67Pa

溅射功率：直流200W

靶和基板之间的距离：70mm

对所得到的层叠膜，如下那样进行了蚀刻处理。

首先，在层叠膜上滴加抗蚀剂液(东京应化株式会社(東京応化株式会社)制OFPR-8600)，并旋涂抗蚀剂，且在大气中以110℃×90秒的条件进行预烘而形成抗蚀剂膜。

接着，通过曝光机对抗蚀剂膜曝光配线宽度和配线间隔各为30μm的配线图案。在室温下将所曝光的层叠膜浸渍于显影液(东京应化株式会社制NMD-W)100秒钟而去除了曝光部的抗蚀剂膜。之后，在大气中以150℃×300秒钟的条件进行了后烘。

接着，在No.1-7中，浸渍于温度40℃的草酸蚀刻液(草酸浓度为4质量％的草酸水溶液)100～400秒钟而进行了蚀刻。

在No.8-14中，浸渍于温度40℃的由磷酸、硝酸及醋酸构成的混酸(关东化学株式会社(関東化学株式会社)制ITO―02)30～80秒钟而进行了蚀刻。

在No.15～21中，以两个阶段进行了蚀刻。首先，浸渍于温度40℃的关东化学株式会社制ITO-07N中30秒钟而进行了透明导电氧化物膜的蚀刻。之后，浸渍于温度40℃的关东化学株式会社制SEA-5N中10秒钟而进行了Ag膜的蚀刻。

如上述那样进行了蚀刻处理之后，浸渍于纯水并实施一分钟的超声波清洗，获得了No.1-21的透明导电配线。

关于所获得的透明导电配线，为了观察配线截面而劈开基板，利用电子显微镜观察了其截面。

并且，对于通过电子显微镜观察而确认到的透明导电氧化物膜与Ag膜各自的蚀刻端部的膜，将平行的方向上的位置的差量作为“过蚀刻量”来进行评价。将评价结果示于表1。

在使用由磷酸、硝酸及醋酸构成的混酸进行了一并蚀刻的No.8-14中，确认到过蚀刻量较大。

并且，在以两个阶段实施了蚀刻的No.15～21中，与使用混酸进行了一并蚀刻的No.8～14相比得到了抑制，但过蚀刻量超过了1μm。

相对于此，在使用草酸蚀刻液进行了一并蚀刻的No.1～7中，过蚀刻量全部抑制在1μm以下。

根据以上情况确认到，根据本发明得到了相对于透明导电氧化物膜而Ag膜的过蚀刻量为1μm以下的透明导电配线。

(实施例2)

接着，通过与实施例1的No.1～7同样的方法，制造了表2所示的结构(透明导电氧化物膜、Ag膜、透明导电氧化物膜这三层结构)的透明导电配线。

关于所得到的透明导电配线，评价了可否使用草酸蚀刻液进行蚀刻。另外，对蚀刻之后的透明导电配线进行光学显微镜观察及SEM观察，将没有确认到残渣且过蚀刻量为1μm以下的情况评价为“A”，将可进行蚀刻但通过光学显微镜观察及SEM观察的结果确认到蚀刻残渣的情况评价为“B”，无法对三层(透明导电氧化物膜、Ag膜、透明导电氧化物膜)一并进行蚀刻的情况或过蚀刻量超过1μm的情况评价为“C”。将评价结果示于表2。

[表2]

在将Ag膜的膜厚形成为比本发明的范围厚的No.31、32、41、42、51、52、61、62、71、72、81、82中，无法充分地蚀刻Ag膜。

另一方面，在将Ag膜的膜厚设定在本发明的范围的No.33～35、43～45、53～55、63～65、73～75、83～85中，即使在使用草酸蚀刻液的情况下，也能够充分地蚀刻Ag膜。

根据以上的实验结果确认到，通过将Ag膜的膜厚设在15nm以下的范围内，能够使用草酸蚀刻液进行蚀刻。

(实施例3)

接着，通过与实施例1的No.1～7同样的方法，制造了表3所示的结构(透明导电氧化物膜、Ag膜、透明导电氧化物膜这三层结构)的透明导电配线。

关于所得到的透明导电配线，评价了可否使用草酸蚀刻液进行蚀刻。评价内容与实施例2相同。将评价结果示于表3。

[表3]

在作为蚀刻液使用草酸水溶液的情况下确认到，形成了晶质的ITO膜来作为透明导电氧化物膜的No.92中，与形成了非晶质的ITO膜的No.91相比，基于草酸水溶液的蚀刻性较差。另外，在作为蚀刻液使用草酸水溶液与硝酸的混合液的情况下，即使在形成了晶质的ITO膜来作为透明导电氧化物膜的No.93中，蚀刻性也良好。

根据以上的实验结果确认到，在作为蚀刻液使用草酸水溶液的情况下，优选透明导电氧化物膜为非晶膜。

(实施例4)

接着，通过与实施例1的No.1～7同样的方法，制造了表4所示的结构的透明导电配线。另外，该实施例4中，设为在玻璃基板上形成透明导电氧化物膜并在其之上形成Ag膜的双层结构。

在No.101～117中，在基于草酸蚀刻液的蚀刻处理之后，没有确认到残渣且过蚀刻量全部为1μm以下。

关于所得到的透明导电配线，测定了表面电阻值。对于表面电阻值的测定，利用表面电阻测定器(三菱油化公司(三菱油化社)制、Loresta AP MCP-T400)通过四探针法进行测定。将评价结果示于表4。

[表4]

在构成Ag膜的Ag合金的添加元素的合计量超过10原子％的No.111～117中，表面电阻值大幅超过40Ω/sq。另一方面，在构成Ag膜的Ag合金的添加元素的合计量为10原子％以下的No.101～108中，表面电阻值为40Ω/sq以下。

根据以上的实验结果确认到，尤其，为了得到低电阻的透明导电配线，优选将构成Ag膜的Ag合金的添加元素的合计量规定为10原子％以下。

符号说明

10、110-透明导电配线，11、111-Ag膜，12、112A、112B-透明导电氧化物膜。