技术特征：
技术总结
提供在成批压接多个半导体芯片的情况下，也能得到无空隙安装及良好的焊接性的半导体装置的制造方法及底部填充膜。具有：搭载工序，隔着底部填充膜而将形成有带焊锡电极的多个半导体芯片搭载到形成有与带焊锡电极对置的对置电极的电子部件；以及压接工序，将多个半导体芯片和电子部件，隔着底部填充膜成批压接。底部填充膜含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂、和有机过氧化物，最低熔化粘度为1000Pa·s以上且2000Pa·s以下，从比到达最低熔化粘度温度高10℃的温度到比该温度高10℃的温度的熔化粘度梯度，为900Pa·s/℃以上且3100Pa·s/℃以下。
技术研发人员：久保田健二;斋藤崇之
受保护的技术使用者：迪睿合株式会社
技术研发日：2016.02.05
技术公布日：2017.08.29