膜、其制造方法以及使用该膜的半导体元件的制造方法与流程

文档序号:11289533阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供适合作为对树脂密封部的脱模性优良以及对半导体芯片、源电极或密封玻璃的低迁移性及再剥离性优良的用于制造半导体芯片、源电极或密封玻璃的表面的一部分露出的半导体元件的脱模膜的膜。适合作为用于制造半导体元件的脱模膜的膜1,其中,具备基材3和粘接层5,基材3在180℃时的储能模量为10~100MPa,粘接层5是含有特定的丙烯酸类聚合物和多官能异氰酸酯化合物且来源于所述丙烯酸类聚合物的羟基的摩尔数MOH、羧基的摩尔数MCOOH、来源于所述多官能异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数MNCO满足特定的关系的粘接层用组合物的反应固化物。

技术研发人员:小寺省吾;笠井涉;铃木政己
受保护的技术使用者:旭硝子株式会社
技术研发日:2016.02.02
技术公布日:2017.09.26
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