技术特征：
技术总结
本发明的氮化硅电路基板是金属板与三点弯曲强度为500MPa以上的氮化硅基板的两面接合而成的，其特征在于，在将表面侧金属板的厚度设定为t1、将背面侧金属板的厚度设定为t2时，厚度t1或t2中的至少一者为0.6mm以上，并且满足0.10≤|t1‑t2|≤0.30mm，氮化硅基板在长边方向和短边方向上翘曲量均为0.1～0.5mm的范围内。根据上述构成，能够在表背金属板的厚度大的氮化硅电路基板中提高TCT特性。
技术研发人员：加藤宽正;北森升
受保护的技术使用者：株式会社东芝;东芝高新材料公司
技术研发日：2016.07.27
技术公布日：2017.10.13