技术特征：
技术总结
一种形成三维存储器装置的方法，包含在基板之上形成绝缘材料层和第一牺牲材料层的下部堆叠体结构，穿过下部堆叠体结构形成第一存储器开口并用牺牲填充材料填充第一存储器开口，用第一导电层替换第一牺牲材料层，在替换第一牺牲材料层之后在下部堆叠体结构之上形成绝缘和第二牺牲材料层的上部堆叠体结构，在上覆于第一存储器开口的区域中穿过上部堆叠体结构形成第二存储器开口，用第二导电层替换第二牺牲材料层，从第二存储器开口下方的第一存储器开口移除牺牲填充材料，以在替换第二牺牲材料层之后形成堆叠体间存储器开口，以及在堆叠体间存储器开口内形成存储器堆叠体结构。
技术研发人员：Z.卢;D.毛;T.张;J.阿尔斯梅尔;W.史;H.钱
受保护的技术使用者：桑迪士克科技有限责任公司
技术研发日：2016.06.10
技术公布日：2018.03.16