1.一种抗总剂量CMOS电路基本晶体管结构，其特征在于，在传统NMOS晶体管的N+源漏区外围通过离子注入形成P+掺杂区。
2.如权利要求1所述的一种抗总剂量CMOS电路基本晶体管结构，其特征在于，可以只在传统NMOS晶体管的N+源区外围通过离子注入形成P+掺杂区。
3.如权利要求1所述的一种抗总剂量CMOS电路基本晶体管结构，其特征在于，形成的P+掺杂区可以通过接触孔连接至低电位，也可以不打接触孔从而进一步降低晶体管面积。
4.如权利要求1所述的一种抗总剂量CMOS电路基本晶体管结构，其特征在于，形成的P+掺杂区与N+掺杂区之间可以额外形成过渡带，从而减小P+N+结之间隧道击穿风险。