技术特征：
技术总结
本发明提供一种SCR静电保护器件及静电保护电路，所述SCR静电保护器件形成在绝缘层上的顶层半导体层的一个连续有源区中，具有围绕SCR的P掺杂区的两个N阱以及围绕SCR的N掺杂区的两个P阱，分别呈指状二极管结构，以形成SCR的寄生PNP三极管和寄生NPN三极管，且在邻近的N阱和P阱之间增加了邻接该N阱的额外的N掺杂区以及邻接该P阱的额外的P掺杂区，进而在该N阱和P阱之间制造了寄生的栅控二极管或PN结二极管，由此使得寄生PNP三极管的基极通过寄生的栅控二极管或PN结二极管连接到寄生NPN三极管的基极。本发明的SCR静电保护器件及静电保护电路，具有较低的SCR触发电压和较高的维持电压，能为SOI等工艺形成的集成电路提供静电保护。
技术研发人员：陈光;李宏伟
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.01.18
技术公布日：2018.07.27