1.一种半导体场效应正反馈器件，其特征在于，由以下几个部分组成：
不掺杂或是弱掺杂的衬底（1）；
位于衬底（1）上的绝缘埋层（2）；
位于绝缘埋层（2）上的沟道区（3）、沟道区（3）两侧的第一低掺杂区域（6）、第二低掺杂区域（7），以及重掺杂的阴极区域（10）和反型重掺杂的阳极区域（11）；
覆盖沟道（3）的栅氧化层（4），以及栅氧化层（4）上的栅极（5）；
栅极两侧的第一侧墙（8）和第二侧墙（9）；
此外，还包括：与阴极区域（10）接触的阴极金属接触（12），与阳极区域（11）接触的阳极金属接触（13），与栅极（5）接触的栅极金属接触（14）。
2.如权利要求1所述的半导体场效应正反馈器件，其特征在于，是基于绝缘层上硅或者建立在绝缘层上的其他半导体。
3.如权利要求1所述的半导体场效应正反馈器件，其特征在于，器件结构对称，使用栅极侧墙作为离子注入的掩蔽，以自对称的方式形成阳极和阴极掺杂区域。
4.如权利要求1所述的半导体场效应正反馈器件，其特征在于，沟道为不掺杂或者弱掺杂。
5.如权利要求1所述的半导体场效应正反馈器件，其特征在于，栅极两边为低掺杂的区域，而阳极和阴极为重度反型掺杂，即一方为n+型而另一方为p+型掺杂。