1.一种超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管包括：衬底、源区内层、源区外层、栅叠层、漏区和沟道区内层和沟道区外层；其中，所述衬底包括绝缘层以及绝缘层上的第一半导体材料；刻蚀第一半导体材料在绝缘层上形成鳍式结构内层以及分别形成在鳍式结构内层两端的第一引出端内层和第二引出端内层；对第一引出端内层以及与第一引出端内层相连接的鳍式结构内层的一部分进行第一次源区离子注入，形成源区内层，所述源区内层包括第一引出端内层以及延伸至与第一引出端内层相连接的鳍式结构内层的一部分；在鳍式结构内层及两端的引出端上外延生长第二半导体材料，在鳍式结构内层上形成覆盖鳍式结构内层的鳍式结构外层，以及分别覆盖在第一和第二引出端内层上的第一和第二引出端外层；在鳍式结构外层的表面形成栅叠层，栅叠层不覆盖鳍式结构外层的两端边缘；对第一引出端外层以及与第一引出端外层相连接的鳍式结构外层的边缘进行第二次源区离子注入，形成源区外层，所述源区外层包括第一引出端外层以及与第一引出端外层相连接的鳍式结构外层的边缘，源区内层和源区外层共同构成源区；所述源区内层沿沟道方向的长度大于源区外层沿沟道方向的长度为L1；对第二引出端外层和内层以及与第二引出端外层相连接的鳍式结构外层和内层的边缘进行离子注入，在第二引出端外层和内层以及与第二引出端外层和内层相连接的鳍式结构外层和内层的边缘形成漏区；位于源区内层和漏区之间的鳍式结构内层形成沟道区内层，以及位于源区外层和漏区之间的鳍式结构外层形成沟道区外层，沟道区内层沿沟道方向的长度小于沟道区外层沿沟道方向的长度为L1；所述第二半导体材料的禁带宽度大于第一半导体材料的禁带宽度。
2.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一半导体材料为轻掺杂或未掺杂的半导体材料，轻掺杂浓度为1×1013cm-3～1×1015cm-3。
3.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，对于N型器件，所述源区为P型重掺杂，掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1020cm-3，所述漏区为N型重掺杂，掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1019cm-3；对于P型器件来说，所述源区为N型重掺杂，掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1020cm-3，所述漏区为P型重掺杂，掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1019cm-3。
4.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第二半导体材料的禁带宽度比第一半导体材料的禁带宽度大0.3eV～0.7eV。
5.一种超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
1)提供衬底，衬底包括下层的绝缘层以及绝缘层上的第一半导体材料；
2)在衬底上刻蚀第一半导体材料形成鳍式结构内层以及分别形成在鳍式结构内层两端的第一引出端内层和第二引出端内层，刻蚀停止在绝缘层的上表面；
3)旋涂一层光刻胶，光刻暴露出第一引出端内层以及与第一引出端内层相连接的鳍式结构内层的一部分，以光刻胶为掩膜，进行第一次源区离子注入，形成源区内层，源区内层包括第一引出端内层以及延伸至与第一引出端内层相连接的鳍式结构内层的一部分；
4)在鳍式结构内层及两端的引出端上外延生长第二半导体材料，在鳍式结构内层上形成覆盖鳍式结构内层的鳍式结构外层，以及覆盖在第一和第二引出端内层上的第一和第二引出端外层；
5)淀积栅介质材料，并淀积栅电极材料，旋涂一层光刻胶，进行光刻和刻蚀，在鳍式结构外层的表面形成栅叠层，栅叠层不覆盖鳍式结构外层的两端边缘；
6)旋涂一层光刻胶，光刻暴露出第一引出端外层以及与第一引出端外层相连接的鳍式结构内层的边缘，以光刻胶和栅叠层为掩膜，进行第二次源区离子注入，形成源区外层，源区外层包括第一引出端外层以及延伸至与第一引出端外层相连接的鳍式结构外层的边缘；
7)旋涂一层光刻胶，光刻暴露出第二引出端外层和内层以及与第二引出端外层相连接的鳍式结构外层和内层的边缘，以光刻胶和栅叠层为掩膜，进行离子注入，在第二引出端外层和内层以及与第二引出端外层和内层相连接的鳍式结构外层和内层的边缘形成漏区；
8)快速高温退火激活杂质；
9)最后进入同CMOS一致的后道工序，包括淀积钝化层、开接触孔以及金属化，得到超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，第一半导体材料为轻掺杂或未掺杂的半导体材料；第一半导体材料采用绝缘体上的硅SOI、绝缘体上的锗GOI、或者II-VI、III-V和IV-IV族之一的二元或三元化合物半导体。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤3)中，第一次源区离子注入浓度为1×1018cm-3～1×1020cm-3。
8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤4)中，第二半导体材料的禁带宽度大于第一半导体材料的禁带宽度；第二半导体材料采用I-VI、III-V和IV-IV族之一的二元或三元化合物半导体。
9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在步骤6)中，第二次源区离子注入的浓度为1×1018cm-3～1×1020cm-3。
10.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在步骤7)中，漏区离子注入的浓度为1×1018cm-3～1×1019cm-3。