1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
多个水平电极，竖直地堆叠在基板上；
多个第一绝缘层，每个第一绝缘层设置在所述多个水平电极中的相应的一对水平电极之间；
多个第二绝缘层，每个第二绝缘层设置在所述多个第一绝缘层中的相应的一对第一绝缘层之间并与所述多个水平电极中的相应的一个水平电极设置在同一竖直平面；
接触结构，贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，
其中，接触结构与第一绝缘层和第二绝缘层接触。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第二绝缘层与所述多个第一绝缘层中的相应的一对第一绝缘层接触。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第二绝缘层具有相对于所述多个第一绝缘层的蚀刻选择性。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，所述多个第一绝缘层包括硅氧化物层，所述多个第二绝缘层包括硅氮化物层、硅氮氧化物层或多晶硅层。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，接触结构包括金属层、金属硅化物层或导电金属氮化物层。
6.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括设置在基板中的第一导电区域，其中，接触结构连接到第一导电区域。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，第一导电区域与基板具有相同导电类型的杂质，并且第一导电区域的杂质浓度比基板的杂质浓度大。
8.如权利要求6所述的半导体装置，其中，第一导电区域为金属层、金属-金属硅化物层和导电金属氮化物层中的至少一种。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，接触结构包括彼此分隔开并沿所述多个第二绝缘层延伸所沿的方向布置的多个接触塞。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，接触结构是线形状的，其中，接触结构与基板接触并沿所述第二绝缘层延伸所沿的方向延伸。
11.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括贯穿电极结构的多个分离层，其中，所述多个水平电极在所述多个分离层之间水平地分离，其中，所述多个分离层沿所述多个第二绝缘层延伸所沿的方向延伸。
12.如权利要求11所述的半导体装置，所述半导体装置还包括设置在基板中的多个共源线，其中，所述多个共源线中的每个共源线与所述多个分离层中的相应的一个分离层叠置。
13.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述分离层包括第一分离层和第二分离层，其中，所述多个第二绝缘层设置在第一分离层和第二分离层之间，并且
其中，第一分离层和第二绝缘层之间的距离与第二分离层和第二绝缘层之间的距离基本相同。
14.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述多个分离层将所述多个第一绝缘层水平地分成第一多个子介电层和第二多个子介电层，其中，所述多个第二绝缘层填充第一多个子介电层中的相对应的一对子介电层之间的区域的一部分，所述多个水平电极填充所述区域的剩余部分。
15.如权利要求14所述的半导体装置，其中，第一多个子介电层的宽度比第二多个子介电层的宽度大。
16.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第二绝缘层均具有围绕接触结构的侧壁的环状结构。
17.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括：
单元柱，贯穿所述多个水平电极和所述多个第一绝缘层；以及
多个存储元件，插入在单元柱和所述多个水平电极之间。
18.如权利要求17所述的半导体装置，其中，所述多个水平电极部分地插入在单元柱和所述多个第二绝缘层之间。
19.如权利要求17所述的半导体装置，其中，所述多个水平电极围绕单元柱的侧壁。
20.如权利要求17所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
接触连接线，设置在接触结构上、沿第二绝缘层延伸所沿的方向延伸，其中，接触连接线电连接到接触结构。
21.如权利要求20所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
位线，设置在接触连接线上方并与接触连接线交叉，
其中，接触连接线电连接到至少一条位线。
22.如权利要求20所述的半导体装置，其中，单元柱设置在位线下方，并且位线电连接到接触连接线。
23.如权利要求17所述的半导体装置，所述半导体装置包括：
位线，被设置成与单元柱叠置以延伸跨过第二绝缘层，
其中，接触结构电连接到位线。
24.如权利要求17所述的半导体装置，其中，单元柱包括半导体层，所述多个存储元件均包括电荷存储层、位于电荷存储层和水平电极之间的阻挡绝缘层、位于电荷存储层和单元柱之间的隧道绝缘层。
25.如权利要求17所述的半导体装置，其中，单元柱包括导电层，存储元件为可变电阻图案。
26.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
堆叠结构，设置在基板上，堆叠结构包括顺序地依次堆叠的四个或更多个第一绝缘层和四个或更多个第二绝缘层；
接触结构，贯穿堆叠结构；以及
四个或更多个水平电极，在第一绝缘层之间延伸，
其中，第一绝缘层和第二绝缘层与接触结构接触，其中，第一绝缘层与第二绝缘层包括不同的材料。
27.如权利要求26所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：第一导电区域，设置在基板中，其中，第一导电区域与基板具有相同导电类型的杂质，并且第一导电区域的杂质浓度比基板的杂质浓度大，其中，接触结构连接到第一导电区域。
28.如权利要求26所述的半导体装置，其中，第二绝缘层沿水平电极延伸所沿的方向延伸。
29.如权利要求28所述的半导体装置，其中，第一导电区域沿第二绝缘层延伸所沿的方向延伸，接触结构包括连接到第一导电区域的接触塞。
30.如权利要求28所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：多个分离层，贯穿水平电极和第一绝缘层，其中，所述多个分离层接触基板并且沿着第二绝缘层延伸所沿的方向延伸。
31.如权利要求26所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：单元柱，贯穿水平电极和第一绝缘层；多个存储元件，位于单元柱和水平电极之间。
32.如权利要求31所述的半导体装置，其中，水平电极部分地设置在单元柱和第二绝缘层之间。
33.如权利要求31所述的半导体装置，其中，水平电极围绕单元柱。
34.如权利要求31所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：接触连接线，设置在接触结构上，沿着第二绝缘层延伸所沿的方向延伸，其中，接触连接线电连接到接触结构。
35.如权利要求34所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：位线，连接到单元柱，其中，接触连接线结合到位线。
36.如权利要求35所述的半导体装置，其中，单元柱设置在位线下方。
37.如权利要求26所述的半导体装置，其中，基板包括存储单元区域和外围电路区域，并且接触结构设置在外围电路区域中。
38.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：
在基板上交替地堆叠多个第一绝缘层和多个第二绝缘层；
通过部分地蚀刻所述多个第二绝缘层而在所述多个第二绝缘层之间形成空间，其中，空间通过所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层的剩余部分来限定；
在空间中形成水平电极；以及
形成贯穿所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层的剩余部分的接触结构。
39.如权利要求38所述的方法，其中，接触结构与所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层的剩余部分接触。
40.如权利要求38所述的方法，所述方法还包括在基板中形成第一导电区域，其中，接触结构连接到第一导电区域。
41.如权利要求40所述的方法，其中，在形成所述多个第一绝缘层和所述多个第二绝缘层之前执行形成第一导电区域的步骤，第一导电区域与基板具有相同导电类型的杂质，并且第一导电区域的杂质浓度比基板的杂质浓度大。
42.如权利要求38所述的方法，其中，在所述多个第二绝缘层之间形成空间的步骤进一步包括：
形成贯穿所述多个第一绝缘层和所述第二绝缘层的分离区域，其中，分离区域暴露所述多个第一绝缘层的侧壁和所述多个第二绝缘层的侧壁；其中，选择性地部分蚀刻使所述多个第二绝缘层凹进。
43.如权利要求42所述的方法，其中，分离区域将所述多个第一绝缘层水平地分成多个第一子绝缘层和多个第二子绝缘层，所述多个第一子绝缘层的宽度比所述多个第二子绝缘层的宽度大，
其中，对所述多个第二绝缘层进行部分蚀刻去除了除在第一子绝缘层之间的局部区域之外的所述多个第二绝缘层。
44.如权利要求38所述的方法，所述方法还包括：
形成连接到基板并贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的单元柱；以及
在单元柱和所述多个水平电极之间形成多个存储元件，
其中，在形成单元柱之后执行在所述多个第二绝缘层之间形成空间的步骤。
45.如权利要求38所述的方法，所述方法还包括：形成连接到所述多个水平电极的端部的多个焊盘接触塞，
其中，形成接触结构的步骤和形成所述多个焊盘接触塞的步骤包括同时执行的至少一个工艺步骤。
46.如权利要求45所述的方法，其中，所述至少一个工艺步骤包括用于形成用于接触结构的接触孔和形成用于焊盘接触塞的焊盘接触孔的蚀刻工艺。
47.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
多个第一绝缘层和多个第二层，交替地并竖直地堆叠在基板上，其中，所述多个第二层中的每个第二层包括通过第二绝缘层水平分离的水平电极；以及
接触塞，贯穿所述多个第一绝缘层和所述多个第二层的第二绝缘层。
48.如权利要求47所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
第一分离层和第二分离层；
其中，第一分离层和第二分离层贯穿所述多个第一绝缘层和所述多个第二层的水平电极，以及
其中，第一分离层设置在第二绝缘层的一侧，第二分离层设置在第二绝缘层的另一侧。
49.如权利要求48所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
第一接触单元柱和第二接触单元柱，
其中，第一接触单元柱和第二接触单元柱贯穿所述多个第一绝缘层和所述多个第二层的水平电极，并且
其中，第一接触单元柱设置在第一分离层和接触塞之间，第二接触单元柱设置在第二分离层和接触塞之间。
50.如权利要求49所述的半导体装置，其中，接触塞设置在第一接触单元柱和第二接触单元柱之间的中心处。
51.如权利要求49所述的半导体装置，其中，多个存储元件竖直地设置在水平电极与第一单元柱之间和水平电极与第二单元柱之间。