半导体装置及其制造方法与流程

技术总结
本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括交替并竖直地堆叠在基板上的多个第一绝缘层和多个第二层。所述多个第二层中的每个第二层包括通过第二绝缘层水平分离的水平电极。接触塞贯穿所述多个第一绝缘层和所述多个第二层中的第二绝缘层。

技术研发人员：沈善一;赵源锡;李云京
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
文档号码：201710151188
技术研发日：2013.07.11
技术公布日：2017.06.23