技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于硅衬底的、结合了n沟道晶体管和p沟道晶体管的宽禁带III‑V CMOS型赝配异质结场效应晶体管，该型异质结场效应晶体管材料采用MOCVD或MBE设备外延生长，由在高电阻率硅衬底上依次外延生长的第一多层晶格应变缓冲层、InGaSb沟道层、AlGaSb势垒层、GaSb帽层、第二多层晶格应变缓冲层、InGaAs沟道层、AlGaAs势垒层及InXGa1‑XAs帽层构成。本发明可有效地提升p沟道晶体管迁移率，以改进III‑V中n沟道晶体管和p沟道晶体管迁移率巨大差别的问题，并提供高载流子速度与高驱动电流的宽禁带III‑V族晶体管通道，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应，降低功耗，克服摩尔定律，打破极限，维持半导体产业等比例缩小进程。
技术研发人员：黎明
受保护的技术使用者：成都海威华芯科技有限公司
技术研发日：2017.03.28
技术公布日：2017.07.14