1.一种氧化物半导体薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
对基底进行疏水处理，获得改性基底；
配制电子墨水：向氧化物半导体的前驱体溶液中加入功能试剂，获得电子墨水；其中，所述功能试剂兼具亲水性和提高粘度作用；
将所述电子墨水印刷在所述改性基底的表面，形成墨滴；
待所述墨滴干燥后，对所述墨滴进行退火处理，在所述改性基底上获得氧化物半导体薄膜。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述功能试剂为聚乙烯吡咯烷酮，所述聚乙烯吡咯烷酮的相对分子质量为40000或1300000。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，当所述功能试剂为相对分子质量为40000的聚乙烯吡咯烷酮时，在所述电子墨水中的功能试剂的物质的量浓度为0.1mg/mL～0.5mg/mL；
当所述功能试剂为相对分子质量为1300000的聚乙烯吡咯烷酮时，在所述电子墨水中的功能试剂的物质的量浓度为0.05mg/mL～0.5mg/mL。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述改性基底的接触角为48°～56°。
5.根据权利要求1-4任一所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体的前驱体溶液为金属硝酸盐的水溶液。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述金属硝酸盐的水溶液包括In(NO3)3水溶液、Ga(NO3)3水溶液、Zn(NO3)2水溶液中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体的前驱体溶液的浓度为0.01mol/L～0.05mol/L。
8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述墨滴的干燥温度及退火温度均不低于200℃、且不高于氧化物半导体的前驱体的最高活化温度。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述墨滴的干燥温度及退火温度均为200℃～350℃。
10.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管以采用如权利要求1-9任一所述的制作方法获得的氧化物半导体薄膜作为有源层。
11.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括：介质层的制作步骤、有源层的制作步骤、栅极的制作步骤、源极和漏极的制作步骤；其特征在于，在所述有源层的制作步骤中，以所述介质层作为基底，采用如权利要求1-9任一所述的氧化物半导体薄膜的制作方法。