技术特征：
技术总结
本发明属于半导体集成技术领域，公开了一种绝缘体上锗衬底结构及其制备方法，制备方法包括：在第二硅层上制备锗层；制备隔离层，隔离层包括n个交替层，每个交替层包括一层绝缘层和一层高k介质层；隔离层位于第一硅层和锗层之间。结构包括：第一硅层；锗层；第二硅层，第二硅层位于锗层的底部；隔离层，隔离层位于第一硅层和锗层之间；隔离层包括n个交替层，每个交替层包括一层绝缘层和一层高k介质层。本发明解决了现有技术中采用晶圆键合的方法形成绝缘体上锗的过程中隔离层的层厚影响键合的质量的问题，达到了获得高质量的键合晶圆的技术效果。
技术研发人员：王桂磊;亨利·雷德森;李俊峰;赵超
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2017.04.06
技术公布日：2017.07.14