技术特征：
技术总结
本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述装置包括：衬底；在所述衬底上用于第一器件的第一鳍片；在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极结构，包括：在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极电介质层；和在所述第一栅极电介质层上的第一栅极；以及在所述第一栅极结构两侧至少部分地位于所述第一鳍片中的第一源区和第一漏区；其中，所述第一栅极电介质层与所述第一漏区邻接的部分为第一部分，所述第一栅极电介质层与所述第一源区邻接的部分为第二部分，所述第一栅极电介质层位于所述第一部分和所述第二部分之间的部分为第三部分，所述第一部分的厚度大于所述第三部分的厚度。本申请可以减小器件的GIDL。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.05.18
技术公布日：2018.12.07