技术特征：
技术总结
本发明提供了适用作3D外形上方的电介质扩散屏障的保形密闭性电介质膜。在实施例中，电介质扩散屏障包括可通过原子层沉积ALD技术来沉积的诸如金属氧化物之类的电介质层，对于较薄的连续密闭性扩散屏障而言，通过原子层沉积ALD技术沉积的电介质层的保形度和密度大于通过PECVD工艺沉积的传统的基于二氧化硅的膜中可实现的保形度和密度。在其它实施例中，扩散屏障是例如双层的包括高k电介质层和低k或中等k电介质层的多层膜，以减小扩散屏障的介电常数。在其它实施例中，通过在保持较高的膜保形度和密度的同时调节硅酸盐的硅含量来将高k电介质层中的硅酸盐(例如金属硅酸盐)形成为减小扩散屏障的k值。
技术研发人员：S·金;俞辉在;S·科萨拉朱;T·格拉斯曼
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2011.12.20
技术公布日：2017.10.20