一种显示基板及其制作方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术：

oled即有机发光二极管(organiclight-emittingdiode)，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。oled显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。oled显示有诸多优点，其中包括可实现柔性显示，如以可绕曲的塑料基板等为载体，再配合薄膜封装制程，即可实现可绕曲的oled面板。

oled显示装置包括分别用作oled显示装置的子像素的多个有机发光元件，所述子像素包括发射红色光的红色子像素、发射绿色光的绿色子像素和发射蓝色光的蓝色子像素。oled显示装置的每一个子像素包括阳极、公共层、有机发光层和阴极，公共层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。各个子像素的阳极是相互独立的，但是公共层形成于显示基板的整个表面上，覆盖各个子像素的阳极。有机发光元件利用从阳极提供的空穴和阴极提供的电子而发光。但是，提供至子像素的空穴经由公共层可能泄露到相邻的另一个子像素中，例如提供至发射蓝色光的子像素的空穴可能不会移动至发射蓝色光的子像素的有机发光层，但是可能会经由公共层泄露到发射红色光的子像素或发射绿色光的子像素中，这种漏电流会导致其他临近的子像素发光并改变oled显示装置的色彩特性，从而影响oled显示装置的显示品质。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够避免临近的子像素之间出现流动的漏电流，改善显示装置的显示品质。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种显示基板的制作方法，包括：

形成像素界定层过渡图形，所述像素界定层过渡图形的侧表面形成底切；

在形成有所述像素界定层过渡图形的衬底基板上形成公共层；

去除所述底切，得到像素界定层的图形；

形成阴极。

进一步地，所述形成像素界定层过渡图形包括：

形成第一感光材料层；

对所述第一感光材料层进行曝光，使得所述第一感光材料层表面的一部分感光材料被充分曝光，形成充分曝光膜层；

在曝光后的第一感光材料层上形成第二感光材料层；

以制作像素界定层的图形的掩模板为遮挡对所述第一感光材料层和所述第二感光材料层进行曝光，使得所述第一感光材料层和所述第二感光材料层未被所述掩模板的遮光图形遮挡的部分充分曝光；

对曝光后的第一感光材料层和第二感光材料层进行显影，形成所述像素界定层过渡图形，所述像素界定层过渡图形包括第一堤部、位于第一堤部上的第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影内，且所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影的边缘与所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影的边缘间隔一定距离。

进一步地，所述去除所述底切，得到像素界定层的图形包括：

对所述像素界定层过渡图形进行加热，使得部分所述像素界定层过渡图形融化将所述第一堤部、所述第二堤部和所述第三堤部的侧表面连成一平缓的坡面，得到像素界定层的图形。

进一步地，所述第一感光材料层的厚度为d，所述充分曝光膜层的厚度d为1/10d～1/5d。

进一步地，所述第二感光材料层的厚度d1为1/5d～1/3d，且d1大于d。

进一步地，所述形成像素界定层过渡图形包括：

形成第一感光材料层；

对所述第一感光材料层进行曝光，使得全部所述第一感光材料层被充分曝光；

在曝光后的第一感光材料层上形成第二感光材料层；

以制作像素界定层的图形的掩模板为遮挡对所述第一感光材料层和所述第二感光材料层进行曝光，使得所述第一感光材料层和所述第二感光材料层未被所述掩模板的遮光图形遮挡的部分充分曝光；

对曝光后的第一感光材料层和第二感光材料层进行显影，形成所述像素界定层过渡图形，所述像素界定层过渡图形包括第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影内，且所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影的边缘与所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影的边缘间隔一定距离。

进一步地，所述去除所述底切，得到像素界定层的图形包括：

对所述像素界定层过渡图形进行加热，使得部分所述像素界定层过渡图形融化将所述第二堤部和所述第三堤部的侧表面连成一平缓的坡面，得到像素界定层的图形。

进一步地，所述对所述像素界定层过渡图形进行加热包括：

在80℃至100℃的温度下对所述像素界定层过渡图形进行12至48小时的加热。

进一步地，形成所述公共层包括：

在形成有所述像素界定层过渡图形的衬底基板上制备整层的公共层，所述公共层在所述像素界定层过渡图形的侧表面上发生断裂，一部分落入所述像素界定层过渡图形限定出的像素区域内，另一部分位于所述像素界定层过渡图形的顶表面。

进一步地，所述在形成有所述像素界定层过渡图形的衬底基板上制备整层的公共层包括：

在形成有所述像素界定层过渡图形的衬底基板上依次制备空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和空穴传输层在所述像素界定层过渡图形的侧表面上发生断裂，一部分落入所述像素区域内，另一部分位于所述像素界定层过渡图形的顶表面上；

依次制备电子传输层和电子注入层，所述电子传输层和电子注入层在所述像素界定层过渡图形的侧表面上发生断裂，一部分落入所述像素区域内，另一部分位于所述像素界定层过渡图形的顶表面上。

本发明实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到，所述像素界定层的图形包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层设置在所述第二膜层靠近所述衬底基板的一侧，且所述第一膜层的刻蚀速率大于所述第二膜层的刻蚀速率。

进一步地，所述像素界定层的图形还包括第三膜层，所述第三膜层设置在所述第一膜层靠近所述衬底基板的一侧，且所述第三膜层的刻蚀速率小于所述第一膜层的刻蚀速率。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，像素界定层过渡图形的侧表面形成有底切，这样在形成有像素界定层过渡图形的衬底基板上形成公共层时，能够使得整层的公共层在像素界定层过渡图形的侧表面上发生断裂，一部分落入像素界定层过渡图形限定出的像素区域内，另一部分位于像素界定层过渡图形的顶表面，从而使得位于不同像素区域内的公共层之间相互独立，互不连接，这样提供至子像素的空穴将不能够经由公共层泄露到相邻的另一个子像素中，从而避免临近的子像素之间出现流动的漏电流，改善了显示装置的显示品质。

附图说明

图1为本发明实施例在衬底基板上制作阳极后的示意图；

图2为本发明实施例在衬底基板上制作第一感光材料层后的示意图；

图3为本发明实施例对第一感光材料层进行曝光后的示意图；

图4为本发明实施例对第二感光材料层和第一感光材料层进行曝光的示意图；

图5为本发明实施例对第一感光材料层和第二感光材料层进行显影后的示意图；

图6为本发明实施例制作空穴注入层和空穴传输层后的示意图；

图7为本发明实施例制作电子传输层和电子注入层后的示意图；

图8为本发明实施例对像素界定层过渡图形进行加热后的示意图；

图9为本发明实施例制作阴极后的示意图。

1衬底基板2薄膜晶体管阵列3平坦层4阳极

5第一感光材料层51充分曝光膜层6第二感光材料层

7掩模板8像素界定层过渡图形52第一堤部

511第二堤部61第三堤部9空穴注入层和空穴传输层

10有机发光材料层11电子传输层和电子注入层12阴极

81像素界定层的图形

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

现有oled显示基板中，是在形成有像素界定层的图形的衬底基板上沉积具有较大厚度的公共层，不同像素区域的公共层是连通的，这样提供至子像素的空穴经由公共层可能泄露到相邻的另一个子像素中，在临近的子像素之间存在流动的漏电流，导致oled显示装置存在漏光问题。

为了解决上述问题，本发明的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够避免临近的子像素之间出现流动的漏电流，改善显示装置的显示品质。

本发明实施例提供一种显示基板的制作方法，包括：

形成像素界定层过渡图形，所述像素界定层过渡图形的侧表面形成底切；

在形成有所述像素界定层过渡图形的衬底基板上形成公共层；

去除所述底切，得到像素界定层的图形；

形成阴极。

本实施例中，像素界定层过渡图形的侧表面形成有底切，这样在形成有像素界定层过渡图形的衬底基板上形成公共层时，能够使得整层的公共层在像素界定层过渡图形的侧表面上发生断裂，一部分落入像素界定层过渡图形限定出的像素区域内，另一部分位于像素界定层过渡图形的顶表面，从而使得位于不同像素区域内的公共层之间相互独立，互不连接，这样提供至子像素的空穴将不能够经由公共层泄露到相邻的另一个子像素中，从而避免临近的子像素之间出现流动的漏电流，改善了显示装置的显示品质。

其中，像素界定层过渡图形至少包括有相互层叠的第一膜层和第二膜层，第一膜层设置在第二膜层靠近衬底基板的一侧，第一膜层的刻蚀速率大于第二膜层的刻蚀速率，这样在刻蚀形成像素界定层过渡图形时，第一膜层相对于第二膜层会向内部产生一定量的缩进，即底切(undercut)现象。

进一步地，像素界定层过渡图形在包括第一膜层和第二膜层的基础上，还可以包括第三膜层，第三膜层位于第一膜层靠近衬底基板的一侧，第三膜层的刻蚀速率小于第一膜层的刻蚀速率。

一具体实施例中，形成像素界定层过渡图形包括：

形成第一感光材料层；

对所述第一感光材料层进行曝光，使得所述第一感光材料层表面的一部分感光材料被充分曝光，形成充分曝光膜层；

在曝光后的第一感光材料层上形成第二感光材料层；

以制作像素界定层的图形的掩模板为遮挡对所述第一感光材料层和所述第二感光材料层进行曝光，使得所述第一感光材料层和所述第二感光材料层未被所述掩模板的遮光图形遮挡的部分充分曝光；

对曝光后的第一感光材料层和第二感光材料层进行显影，形成所述像素界定层过渡图形，所述像素界定层过渡图形包括第一堤部、位于第一堤部上的第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影内，且所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影的边缘与所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影的边缘间隔一定距离。

上述实施例中，像素界定层过渡图形包括第一堤部、位于第一堤部上的第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，当然，像素界定层过渡图形还可以不再包括第一堤部，只包括第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影内，且所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影的边缘与所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影的边缘间隔一定距离，这样即是在对第一感光材料层进行第一次曝光时，不只是使第一感光材料层得表层的一部分被充分曝光，而是使得第一感光材料层的全部被充分曝光。

由于像素界定层过渡图形的侧表面形成有底切，不利于后续形成整层的阴极，因此，在制备阴极之前，还需要去除所述底切，得到像素界定层的图形。所述去除所述底切，得到像素界定层的图形包括：

对所述像素界定层过渡图形进行加热，使得部分所述像素界定层过渡图形融化将所述第一堤部、所述第二堤部和所述第三堤部的侧表面连成一平缓的坡面，得到像素界定层的图形。

这样之后在形成有像素界定层图形的衬底基板上制作阴极时，能够使形成的阴极为连续的面状结构。

具体地，所述对所述像素界定层过渡图形进行加热包括：

在80℃至100℃的温度下对所述像素界定层过渡图形进行12至48小时的加热。

进一步地，所述第一感光材料层的厚度为d，所述充分曝光膜层的厚度d为1/10d～1/5d。

进一步地，所述第二感光材料层的厚度d1为1/5d～1/3d，且d1大于d。

另一具体实施例中，所述形成像素界定层过渡图形包括：

形成第一感光材料层；

对所述第一感光材料层进行曝光，使得全部所述第一感光材料层被充分曝光；

在曝光后的第一感光材料层上形成第二感光材料层；

以制作像素界定层的图形的掩模板为遮挡对所述第一感光材料层和所述第二感光材料层进行曝光，使得所述第一感光材料层和所述第二感光材料层未被所述掩模板的遮光图形遮挡的部分充分曝光；

对曝光后的第一感光材料层和第二感光材料层进行显影，形成所述像素界定层过渡图形，所述像素界定层过渡图形包括第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影内，且所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影的边缘与所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影的边缘间隔一定距离。

该具体实施例中，在第一次曝光时，是使全部的第一感光材料层被充分曝光。

由于像素界定层过渡图形的侧表面形成有底切，不利于后续形成整层的阴极，因此，在制备阴极之前，还需要去除所述底切，得到像素界定层的图形。所述去除所述底切，得到像素界定层的图形包括：

对所述像素界定层过渡图形进行加热，使得部分所述像素界定层过渡图形融化将所述第二堤部和所述第三堤部的侧表面连成一平缓的坡面，得到像素界定层的图形。

这样之后在形成有像素界定层图形的衬底基板上制作阴极时，能够使形成的阴极为连续的面状结构。

具体地，所述对所述像素界定层过渡图形进行加热包括：

在80℃至100℃的温度下对所述像素界定层过渡图形进行12至48小时的加热。

进一步地，形成所述公共层包括：

在形成有所述像素界定层过渡图形的衬底基板上制备整层的公共层，所述公共层在所述像素界定层过渡图形的侧表面上发生断裂，一部分落入所述像素界定层过渡图形限定出的像素区域内，另一部分位于所述像素界定层过渡图形的顶表面。

其中，公共层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，公共层可以采用蒸镀的方式制备也可以采用打印的方式制备。

一具体实施方式中，形成所述公共层包括：

在形成有所述像素界定层过渡图形的衬底基板上依次制备空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和空穴传输层在所述像素界定层过渡图形的侧表面上发生断裂，一部分落入所述像素区域内，另一部分位于所述像素界定层过渡图形的顶表面上；

依次制备电子传输层和电子注入层，所述电子传输层和电子注入层在所述像素界定层过渡图形的侧表面上发生断裂，一部分落入所述像素区域内，另一部分位于所述像素界定层过渡图形的顶表面上。

本发明实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到，所述像素界定层的图形包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层设置在所述第二膜层靠近所述衬底基板的一侧，且所述第一膜层的刻蚀速率大于所述第二膜层的刻蚀速率。

本实施例中，像素界定层过渡图形的侧表面形成有底切，这样在形成有像素界定层过渡图形的衬底基板上形成公共层时，能够使得整层的公共层在像素界定层过渡图形的侧表面上发生断裂，一部分落入像素界定层过渡图形限定出的像素区域内，另一部分位于像素界定层过渡图形的顶表面，从而使得位于不同像素区域内的公共层之间相互独立，互不连接，这样提供至子像素的空穴将不能够经由公共层泄露到相邻的另一个子像素中，从而避免临近的子像素之间出现流动的漏电流，改善了显示装置的显示品质。

进一步地，所述像素界定层的图形还包括第三膜层，所述第三膜层设置在所述第一膜层靠近所述衬底基板的一侧，且所述第三膜层的刻蚀速率小于所述第一膜层的刻蚀速率。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。

下面结合附图对本发明的显示基板的制作方法进行详细介绍，本实施例的显示基板的制作方法包括以下步骤：

步骤a、如图1所示，在衬底基板1上制备薄膜晶体管阵列2、平坦层3以及阳极4；

其中，衬底基板1可以为柔性基底也可以为硬质基板。薄膜晶体管阵列2包括多个驱动有机发光单元进行发光的驱动薄膜晶体管，阳极4与驱动薄膜晶体管的漏极连接。

步骤b、如图2所示，在经过步骤a的衬底基板1上形成第一感光材料层5；

具体地，可以在经过步骤a的衬底基板1涂覆一层有机感光树脂，作为第一感光材料层5。

步骤c、如图3所示，对整个衬底基板1上的第一感光材料层5进行曝光；

本步骤中，对整个衬底基板1表面上的第一感光材料层5进行一次无掩模板遮挡的空曝光，曝光时需要注意的是对曝光剂量的控制，例如，假设能将厚度为d的第一感光材料层5充分曝光的曝光剂量为a，那本步骤中选用的曝光剂量b要小于a，这样第一感光材料层5只有上表面部分厚度为d的膜层才得以充分曝光，优选地，d的大小约为1/10d～1/5d。曝光完成后，如图4所示，第一感光材料层5上生成一层被充分曝光的充分曝光膜层51。充分曝光膜层51的厚度决定了后续像素界定层过渡图形侧表面出现底切部分的大小，如果充分曝光膜层51的厚度过大，则后续不容易形成具有平滑侧表面的像素界定层的图形，如果充分曝光膜层51的厚度过小，则像素界定层过渡图形侧表面出现底切部分过小，在后续沉积公共层时，不容易使公共层发生断裂，因此，优选地，将充分曝光膜层51的厚度设置为1/10d～1/5d。

步骤d、如图4所示，在曝光后的第一感光材料层5上形成第二感光材料层6，并以制作像素界定层的图形的掩模板7为遮挡对第一感光材料层5和第二感光材料层6进行曝光，使得第一感光材料层5和第二感光材料层6未被掩模板7的遮光图形遮挡的部分充分曝光；

在第一感光材料层5上涂覆一层厚度为d1的有机感光树脂，形成第二感光材料层6，优选地，d1的大小约为1/5d～1/3d，且d1大于d。利用掩模板7对整个阵列基板进行曝光，掩模板7包括有遮光图形和透光图形，遮光图形对应像素界定层的图形。本次曝光选用需将第一感光材料层5和第二感光材料层6都能充分曝光的曝光剂量，也就是说底部的第一感光材料层5在本次曝光中也要充分的感光。

步骤e、如图5所示，对曝光后的第一感光材料层5和第二感光材料层6进行显影，形成像素界定层过渡图形8，像素界定层过渡图形8包括第一堤部52、位于第一堤部52上的第二堤部511和位于第二堤部上511的第三堤部61，第二堤部511的顶面在衬底基板1上的正投影完全落入第三堤部61的底面在衬底基板上1的正投影内，且第二堤部511的顶面在衬底基板1上的正投影的边缘与第三堤部61的底面在衬底基板1上的正投影的边缘间隔一定距离；

像素界定层过渡图形8包括第一堤部52、位于第一堤部52上的第二堤部511和位于第二堤部上511的第三堤部61，其中，第二堤部511经过两次曝光，由于曝光的程度最高，因此在显影过程中能够更加充分地与显影液反应，在显影后第二堤部511相对第一堤部52、第三堤部61会向内部产生一定量的缩进，即底切(undercut)现象。第二堤部511造成的底切会使像素界定层过渡图形8的侧表面出现断裂，如图5中区域a所示。

步骤f、如图6所示，通过蒸镀的方法，在整个阵列基板的上表面蒸镀空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)9；

一般的oled显示装置上的单个有机发光单元包括有层叠的空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、有机发光层、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)，当然也可以省略其中一层或者几层。由于空穴注入层、空穴传输层、电子传输层以及电子注入层公共地覆盖子像素的阳极以及像素界定层，因此空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层被定义为公共层。

为了描述简单，图6中将空穴注入层和空穴传输层合并成一层表示，即膜层9，如图6所示，由于像素界定层过渡图形8侧表面出现底切，空穴注入层和空穴传输层9在沉积过程中，在区域a处会自动断开，使像素界定层过渡图形8上部的空穴注入层和空穴传输层9与像素界定层过渡图形8下部的空穴注入层和空穴传输层9不再连接，像素界定层过渡图形8下部的空穴注入层和空穴传输层9位于像素区域内。

步骤g、如图7所示，继续通过蒸镀的方法，利用蒸镀掩模板，在不同的像素区域依次蒸镀出多种颜色的有机发光材料层10，比如r、b、g有机发光材料层。之后再在有机发光材料层10的上部继续蒸镀制作电子传输层和电子注入层，电子传输层和电子注入层也是公共层的一部分，如图8所示，将电子传输层和电子注入层合并成一层表示，即膜层11，同样地由于像素界定层过渡图形8侧表面出现底切，电子传输层和电子注入层11在沉积过程中在区域a处会自动断开，使像素界定层过渡图形8上部的电子传输层和电子注入层11与像素界定层过渡图形8下部的电子传输层和电子注入层11不再连接，像素界定层过渡图形8下部的电子传输层和电子注入层11位于像素区域内。

可以看出，位于不同像素区域的公共层相互独立，互不连接。

步骤h、如图8所示，对像素界定层过渡图形8以及公共层进行加热，因为区域a处由于第二堤部511向内部产生缩进而使上部的第三堤部61以及其上的公共层产生悬空，在对像素界定层过渡图形8以及公共层进行加热的过程中，第三堤部61和其上的公共层会向下方流动，从而覆盖区域a处的悬空区，消除像素界定层过渡图形8侧表面的底切，形成侧面平缓的像素界定层的图形81。

其中，对像素界定层过渡图形8以及公共层进行加热可在特定的条件下进行，例如，可在80℃至100℃或者更低的温度下进行12至48小时的加热，比如在95℃的温度下进行24小时的加热。热处理完成后，如图8所示，区域a变成图中的区域b，像素界定层过渡图形8变成了侧表面为平滑的坡面的像素界定层的图形81。值得注意的是，虽然像素界定层的图形81的侧表面为平滑的坡面，但是通过对加热的温度和时长的控制，位于像素界定层的图形81的顶面上的公共层部分与位于像素区域内的公共层部分仍然不连接。

步骤i、如图9所示，通过蒸镀或者其他方式在整个阵列基板的上表面制作oled显示装置的阴极12，如图9所示，由于经过加热处理，像素界定层的图形81的侧面成为连续的整体，且较为平缓，因此区域b处的阴极12不会像公共层那样产生断裂，而是形成为连续的面状结构。

经过上述步骤a-i即可制作得到本发明的oled显示基板，需要注意的是，本发明并未限制上述oled显示基板的类型，oled显示基板既可以为顶发光型oled显示基板也可以是底发光型oled显示基板。

本实施例制作的像素界定层过渡图形的侧表面形成有底切，这样在形成有像素界定层过渡图形的衬底基板上形成公共层时，能够使得整层的公共层在像素界定层过渡图形的侧表面上发生断裂，一部分落入像素界定层过渡图形限定出的像素区域内，另一部分位于像素界定层过渡图形的顶表面，从而使得位于不同像素区域内的公共层之间相互独立，互不连接，这样提供至子像素的空穴将不能够经由公共层泄露到相邻的另一个子像素中，从而防止临近的子像素之间出现流动的漏电流，避免oled显示装置出现串色、漏光等不良，改善了显示装置的显示品质。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。